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K13E25D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K13E25D-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K13E25D-VB

K13E25D-VB概述

    K13E25D-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K13E25D-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明、焊接设备等领域。其主要特点包括动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力和简单的驱动要求。这款MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压 (VDS): 250V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID): 14A(Tc=25℃),8.5A(Tc=100℃)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 550mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 14A
    - 最大功耗 (PD): 125W(Tc=25℃)

    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 250V时,RDS(on)为2.5欧姆(VGS=10V)
    - 输入电容 (Ciss): 在VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz下,Ciss为1300pF
    - 输出电容 (Coss): 330pF
    - 逆向传输电容 (Crss): 85pF

    - 工作环境
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55℃ 至 +150℃
    - 储存温度范围: -55℃ 至 +150℃
    - 焊接温度 (Peak temperature): 300℃,持续时间不超过10秒

    产品特点和优势


    - 快速开关: K13E25D-VB具有快速的开关能力,能够显著减少开关损耗,提高系统效率。
    - 高可靠性: 重复雪崩额定值确保了器件在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 简单驱动: 对于驱动电路的要求非常简单,便于集成和调试。
    - 动态dv/dt额定值: 可以承受高dv/dt信号,适用于各种高动态负载的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电源管理: K13E25D-VB可以用于设计高效率的DC-DC转换器,尤其适用于通信设备和数据中心的电源管理。
    - 电机驱动: 适用于工业自动化和机器人领域的伺服驱动器,提供高效的电流控制。
    - LED照明: 作为开关元件用于高效驱动LED照明设备。

    - 使用建议
    - 确保电路设计中有足够的散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用低电感走线设计,以减少寄生效应的影响。
    - 结合具体应用场景调整驱动电路参数,以达到最佳效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K13E25D-VB可以与其他标准TO-220封装的电子元件和设备无缝兼容。
    - 技术支持: 制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南、故障排查手册和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常振荡。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,减小驱动信号的dv/dt。
    - 问题2: 工作温度过高。
    - 解决方案: 加强散热设计,如增加散热片或使用散热膏。

    总结和推荐


    K13E25D-VB是一款高效能、高可靠的N沟道功率MOSFET,适用于多种工业应用。其快速开关能力、高可靠性、简单的驱动要求使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在电源管理和电机驱动等高要求的应用场景中使用K13E25D-VB。

K13E25D-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K13E25D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K13E25D-VB数据手册

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K13E25D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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