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JCS2N60CB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N60CB-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60CB-VB

JCS2N60CB-VB概述

    JCS2N60CB-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS2N60CB-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高压直流到交流转换应用。该器件的主要功能包括低导通电阻、快速开关速度和高可靠性的门极驱动。它被广泛应用于工业自动化、电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 VDS: 650V
    - 导通电阻 RDS(on): 4Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 Qg: 11nC
    - 输入电容 Ciss: 417pF(VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 Coss: 45pF(VDS = 0V, f = 1.0 MHz)
    - 反向传输电容 Crss: 5pF(VGS = 0V, VDS = 1.0 V, f = 1.0 MHz)
    - 零栅极电压漏电流 IDSS: 25μA(VDS = 650V)
    - 门极-源极阈值电压 VGS(th): 2.0V ~ 4.0V
    - 最大功率耗散 PD: 45W(TC = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 165mJ
    - 重复雪崩电流 IAR: 2A
    - 重复雪崩能量 EAR: 6mJ
    - 最大结到散热片热阻 RthJC: 2.1°C/W
    - 最高工作结温和存储温度 TJ, Tstg: -55°C ~ +150°C
    - 最高结到环境热阻 RthJA: 65°C/W
    - 门极-源极最大电压 VGS: ±30V

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 Qg: 这使得驱动要求简化,降低了驱动电路的成本和复杂性。
    - 增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性: 提升了器件的可靠性,适合严苛的应用环境。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性: 全面测试确保器件在各种条件下的稳定性和可靠性。
    - 符合 RoHS 规范: 环保设计,满足欧盟对有害物质限用的要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 在三相电机控制器中的应用。由于其高耐压能力和低导通电阻,可以有效降低系统整体功耗并提高效率。
    - 使用建议: 在使用过程中,确保器件工作在额定范围内,避免过高的电压和电流导致损坏。对于瞬态情况,应注意选择合适的保护措施,如TVS二极管来吸收瞬态电压。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: JCS2N60CB-VB 与其他标准的 TO-220AB 封装 MOSFET 具有良好的兼容性,便于替换和升级现有系统。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术支持文档和技术咨询,包括详细的安装指南、常见问题解答和用户手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备启动时发现导通电阻 RDS(on) 异常增大。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否存在开路或短路现象,确保驱动电压正确且稳定。
    - 问题: 使用过程中发现器件发热异常严重。
    - 解决方案: 检查散热装置是否工作正常,确保器件工作在推荐的工作温度范围内。
    - 问题: 设备在某些条件下出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查电路中的滤波电容和磁珠是否工作正常,确保电路信号干净无噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    JCS2N60CB-VB N 沟道 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠的工作特性,适用于多种工业应用场合。其低栅极电荷、高耐压能力和良好的散热能力使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在需要高效、可靠的电力转换和控制应用中使用这款器件。

JCS2N60CB-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60CB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60CB-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JCS2N60CB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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