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IPP80N03S4L-04-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: IPP80N03S4L-04-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP80N03S4L-04-VB

IPP80N03S4L-04-VB概述

    IPP80N03S4L-04-VB 技术手册概览

    1. 产品简介


    IPP80N03S4L-04-VB 是一款高性能的 N 沟道 30V(D-S)MOSFET 产品,采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术制造。它主要用于电源管理和直流到直流转换的应用场景,如 OR-ing、服务器和 DC/DC 转换器。该产品经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 相关指令,具有良好的电气特性和可靠性。

    2. 技术参数


    IPP80N03S4L-04-VB 的关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C): 120A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 380A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 64.8V
    - 静态漏源击穿电压 (VDS): 30V
    - 正向导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 时为 0.003Ω,在 VGS = 4.5V 时为 0.004Ω
    - 输入电容 (Ciss): 31pF
    - 输出电容 (Coss): 725pF
    - 反向传输电容 (Crss): 370pF
    - 反向恢复时间 (trr): 52-78ns
    - 热阻 (RthJA): 最大 40°C/W
    - 热阻 (RthJC): 最大 0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    IPP80N03S4L-04-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 高效率:低 RDS(on) 值使其在开关过程中损耗小,提高整体系统效率。
    - 快速响应:短的开关时间和低电容使得该器件适用于高频应用。
    - 高可靠性:通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保了产品的稳定性和可靠性。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令,符合环境保护要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:IPP80N03S4L-04-VB 广泛应用于服务器电源管理、DC/DC 转换器和其他需要高功率密度的场合。
    - 使用建议:由于该器件具有较高的连续电流能力,设计时应注意散热问题,确保器件处于安全工作温度范围内。在高频应用中,考虑使用较低的栅极电阻以减少开关时间,从而提高效率。

    5. 兼容性和支持


    IPP80N03S4L-04-VB 采用标准 TO-220AB 封装,便于与其他器件集成。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决在使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作,器件过热。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,如增加散热片或优化电路布局,以降低器件温度。
    - 问题:出现瞬态过压情况。
    - 解决方案:使用外部保护器件(如瞬态抑制二极管)来吸收瞬态电压,保护 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    IPP80N03S4L-04-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率应用。其优异的性能指标和广泛的适用性使其成为设计者在进行电源管理和转换应用时的理想选择。总体而言,强烈推荐使用此产品。
    该文综述了 IPP80N03S4L-04-VB 的基本特性、技术参数、应用场景及其独特优势,旨在帮助工程师和技术人员更好地理解和使用这一先进的 MOSFET 产品。

IPP80N03S4L-04-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP80N03S4L-04-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP80N03S4L-04-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP80N03S4L-04-VB IPP80N03S4L-04-VB数据手册

IPP80N03S4L-04-VB封装设计

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