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NP80N055MDG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: NP80N055MDG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N055MDG-VB

NP80N055MDG-VB概述

    NP80N055MDG 电子元器件产品介绍
    NP80N055MDG 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N 沟道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子等领域,尤其是在高效率电源转换、电机驱动、电池充电等应用中表现出色。

    产品简介


    - 类型: N 沟道 60V MOSFET
    - 主要功能: 用于开关电路、功率放大和电流控制
    - 应用领域: 电力电子系统、工业自动化设备、汽车电子、便携式电源设备

    技术参数


    以下是 NP80N055MDG 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 额定电压 (D-S) | VDS | - | 60 | - | V |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 漏极-源极导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | - | 5 | - | mΩ |
    | 持续漏极电流 (TC=25°C) | ID | - | 120 | - | A |
    | 连续栅极-源极漏电流 | IGSS | -100 | - | 100 | nA |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | 350 | - | A |
    | 单次雪崩能量 (占空比 ≤ 1%) | EAS | - | 125 | - | mJ |

    产品特点和优势


    - 高温耐受性: 可承受高达 175°C 的结温,适用于高温环境下的工作。
    - TrenchFET® 功率 MOSFET: 提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 耐用性强: 在极端条件下仍能稳定运行,适用于严苛的应用环境。
    - 低功耗: 较低的导通电阻使得能耗减少,适合节能要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: NP80N055MDG 常见于电源转换器、逆变器、电机驱动器和便携式电源设备中。
    - 使用建议:
    - 确保散热设计良好,特别是在高功率应用场景下。
    - 在电路设计时考虑栅极驱动器的设计,以确保稳定的栅极电压和快速开关。
    - 保持电路的清洁和干燥,避免灰尘和湿气影响电气性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NP80N055MDG 具有广泛的兼容性,可以与其他常见的 N 沟道 MOSFET 和相关控制器无缝集成。
    - 技术支持: 客户可联系 VBsemi 服务热线 400-655-8788 获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 使用更大的散热器或者增加散热片面积,降低热阻。
    - 问题 2: 电路在高温环境下出现不稳定。
    - 解决方案: 选择合适的散热材料,确保良好的热传导;同时可以在电路中增加温度传感器进行监控。
    - 问题 3: 漏电流过大导致功率损耗增加。
    - 解决方案: 优化栅极驱动设计,降低栅极-源极电压 (VGS) 泄漏电流。

    总结和推荐


    NP80N055MDG 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具有高温耐受性、低导通电阻和优良的开关特性。该产品非常适合于需要高效率、高可靠性、以及适用于极端工作环境的应用场合。总体来说,强烈推荐此产品用于多种电力电子应用中。对于有高温环境需求或要求高可靠性的客户,这款 MOSFET 是理想的选择。

NP80N055MDG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NP80N055MDG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N055MDG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N055MDG-VB NP80N055MDG-VB数据手册

NP80N055MDG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
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