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K8A60DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K8A60DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K8A60DA-VB

K8A60DA-VB概述

    K8A60DA Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K8A60DA 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要特点包括低通态电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),能够显著减少开关损耗和导通损耗。K8A60DA 主要应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明(如高强度放电灯HID和荧光灯)以及工业领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):150 °C时为4 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):未指定
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97 mJ
    - 最大总功耗 (PD):未指定
    - 最大结温 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 结到散热片热阻 (RthJC):0.6 °C/W
    - 结到环境热阻 (RthJA):63 °C/W
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2 V 至 4 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):VDS = 650 V 时 < 1 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10 V, ID = 4 A 时 < Ω
    - 输入电容 (Ciss):未指定
    - 输出电容 (Coss):未指定
    - 反向传输电容 (Crss):未指定
    - 总栅极电荷 (Qg):未指定
    - 上升时间 (tr):未指定
    - 下降时间 (tf):未指定

    产品特点和优势


    K8A60DA 的主要优势在于其低通态电阻和低输入电容,这有助于显著降低器件的导通损耗和开关损耗。它具有出色的抗雪崩能力和高可靠性,适用于高压和大电流的应用环境。此外,其紧凑的设计使其适用于多种电源转换应用。

    应用案例和使用建议


    K8A60DA 在服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应等应用中表现出色。建议在设计电路时充分考虑热管理和散热措施,以确保长期可靠运行。例如,在设计电源供应系统时,可以通过添加适当的散热器来提高器件的热稳定性,从而延长其使用寿命。

    兼容性和支持


    K8A60DA 具有良好的兼容性,可与大多数标准电源转换设备和其他电子元器件配合使用。厂商提供了全面的技术支持和维护服务,确保用户能够在整个产品生命周期内获得最佳的支持体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下器件过热 | 添加适当的散热器以提高散热效果 |
    | 开关损耗过大 | 调整驱动信号频率或增加栅极电阻以减少开关损耗 |
    | 漏电流过高 | 确保正确的驱动条件和负载条件 |

    总结和推荐


    总体而言,K8A60DA 是一款功能强大且高效的功率MOSFET,特别适合于需要高可靠性、低损耗的高压和大电流应用。通过合理的应用设计和热管理措施,可以充分发挥其性能优势。强烈推荐在服务器电源、电信设备及其他高压应用场合中使用此产品。
    联系方式
    服务热线:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

K8A60DA-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K8A60DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K8A60DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K8A60DA-VB K8A60DA-VB数据手册

K8A60DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.8487
100+ ¥ 3.5636
500+ ¥ 3.421
1000+ ¥ 3.2785
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