处理中...

首页  >  产品百科  >  NTP75N03RG-VB

NTP75N03RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: NTP75N03RG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP75N03RG-VB

NTP75N03RG-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    产品类型:N沟道30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:高效能功率开关,适用于多种电路控制应用。
    应用领域:
    - OR-ing应用
    - 服务器电源管理
    - 直流到直流转换(DC/DC转换器)

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 持续漏电流(\( TJ = 175^\circ C \)):28.8A(\( TC = 25^\circ C \))、19A(\( TA = 70^\circ C \))
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):380A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):36A
    - 连续源漏二极管电流 \( IS \):90A
    - 最大功率耗散:250W(\( TC = 25^\circ C \))
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \):32°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):30V(\( TJ = 25^\circ C \))
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.003Ω(\( V{GS} = 10V \))、0.004Ω(\( V{GS} = 4.5V \))
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \):3100pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):725pF
    - 门极电荷 \( Qg \):171nC(\( V{GS} = 10V \))

    产品特点和优势


    - 高效率:该MOSFET采用了TrenchFET®技术,具有低导通电阻,从而降低了损耗。
    - 可靠性强:所有产品经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS指令2011/65/EU。
    - 应用广泛:适用于服务器电源管理和OR-ing应用,支持高频和高温环境下的稳定运行。
    - 安全性能:内置保护机制,能够在极端条件下保护器件不被损坏。

    应用案例和使用建议


    - 服务器电源管理:在服务器电源管理应用中,该MOSFET能够提供稳定的电压输出,确保服务器系统的稳定运行。
    - OR-ing应用:通过并联多个MOSFET,可以实现电源冗余,提高系统可靠性。
    - 使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,需要考虑门极电阻\( Rg \)的影响,以保证MOSFET的快速开通和关断。
    - 需要根据具体的应用需求,选择合适的散热方案,以确保器件不会因过热而失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用TO-220AB封装,可直接安装在标准的FR4板上,易于与其他电路组件集成。
    - 支持和服务:制造商提供了详细的技术文档和应用指南,客户可以通过官方网站获取相关资料。此外,还可通过电话或邮件联系技术支持团队,获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下使用时,器件发热严重。
    - 解决方案:建议使用散热器或风扇进行散热,或者选择更大功率的器件,以降低热应力。

    2. 问题:在高频开关应用中,器件表现不佳。
    - 解决方案:调整驱动电路,降低门极电阻\( Rg \),以加速开关速度。

    3. 问题:在负载突变时,器件出现不稳定现象。
    - 解决方案:增加外部滤波电容,以稳定输出电压。

    总结和推荐


    总结:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性以及广泛的适用范围,在服务器电源管理和OR-ing应用中表现出色。其紧凑的设计和出色的性能使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐:我们强烈推荐使用N-Channel 30-V (D-S) MOSFET。对于需要高效、可靠的电源管理和系统保护的场景,该产品是一个理想的选择。

NTP75N03RG-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP75N03RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP75N03RG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTP75N03RG-VB NTP75N03RG-VB数据手册

NTP75N03RG-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504