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K1306-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1306-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1306-VB

K1306-VB概述

    K1306-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1306-VB 是一款 N-Channel 100-V 漏源电压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要功能包括开关电源、电机控制、逆变器和直流-直流转换器等应用。它以其高可靠性、高电压隔离能力和优良的热稳定性而受到广泛的应用。

    技术参数


    以下是 K1306-VB 的技术规格及关键性能参数:
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.086 Ω (当 VGS = 10 V)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 68 A
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 72 nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大值为 1700 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值为 560 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 最大值为 120 pF
    - 栅极-源极充电 (Qgs): 11 nC
    - 栅极-漏极充电 (Qgd): 32 nC
    - 最大热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS): 720 mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 17 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 4.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 48 W (当 TC = 25 °C)

    产品特点和优势


    K1306-VB 的显著特点包括:
    - 高电压隔离能力:2.5 kVRMS 的电压隔离使得该 MOSFET 在高压环境下表现出色。
    - 低热阻:优秀的热管理特性使其在高功率应用中保持稳定的温度。
    - 动态 dV/dt 额定值:允许快速开关操作。
    - 低温漂移:在宽温范围内保持稳定的工作性能。
    这些特点使 K1306-VB 在需要高可靠性和高性能的环境中具备强大的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    K1306-VB 主要应用于电源管理和电机驱动系统中。例如,在一个典型的 DC-DC 转换器设计中,可以利用其高电流和高电压耐受能力来实现高效的能量转换。为了确保最佳性能,建议遵循以下几点使用建议:
    - 散热设计:通过增加散热片或使用强制风冷来有效管理热耗散。
    - 合理布局:在电路板上减少寄生电感和电容,以提高开关速度。
    - 测试验证:进行详细的开关时间和雪崩能量测试,确保其在极端条件下的稳定性。

    兼容性和支持


    K1306-VB 具有良好的通用性和兼容性,能够与多种电子元器件和其他设备无缝集成。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详尽的资料文档和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的内容,常见的用户问题及其解决方案如下:
    - 问题1:过热现象
    解决办法:检查散热设计是否合理,考虑添加额外的散热装置如散热片或风扇。
    - 问题2:开关时间不一致
    解决办法:调整栅极电阻 (RG) 和负载电阻 (RD),以优化开关时间。
    - 问题3:击穿电压不足
    解决办法:确保 VGS 不超过额定值,检查是否有外部因素影响其性能。

    总结和推荐


    综上所述,K1306-VB N-Channel 100-V MOSFET 以其高可靠性、卓越的电气特性和优秀的热稳定性成为众多应用场合的理想选择。其独特的功能和优势使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐 K1306-VB 用于各种高要求的应用场景。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。
    版权所有 © 2024 VBsemi。保留所有权利。

K1306-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1306-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1306-VB数据手册

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K1306-VB封装设计

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