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IPP50R199CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: IPP50R199CP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP50R199CP-VB

IPP50R199CP-VB概述

    IPP50R199CP-VB 技术手册概述

    产品简介


    IPP50R199CP-VB 是一款高性能的N沟道超结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低电阻率和高耐压的特点。它适用于广泛的领域,包括电信、照明、消费和计算、工业、可再生能源及开关电源等领域。该产品特别适合需要高速切换和低功耗的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.19 Ω (在 VGS=10 V, ID=11 A 下)
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 额定工作温度范围: -55 °C 至 +150 °C
    - 电学特性
    - 输入电容 (Ciss): 2322 pF (在 VGS=0 V, VDS=100 V, f=1 MHz 下)
    - 输出电容 (Coss): 105 pF
    - 反向传输电容 (Crss): -4 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 106 nC (在 VGS=10 V, ID=11 A, VDS=520 V 下)
    - 热学特性
    - 最大功率耗散 (PD): 208 W
    - 结至环境的最大热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 22 ns (在 VDD=520 V, ID=11 A, VGS=10 V, Rg=9.1 Ω 下)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 68 ns
    - 下降时间 (tf): 42 ns

    产品特点和优势


    IPP50R199CP-VB 具有多项显著的技术优势:
    - 降低反向恢复时间和电荷:trr、Qrr 和 IRRM 均得到显著减少,有助于提高系统的整体效率。
    - 低开关损耗:由于反向恢复电荷 (Qrr) 的减少,实现了低开关损耗。
    - 低输入电容:输入电容 (Ciss) 较低,可以实现更快的开关速度。
    - 超低栅极电荷:总栅极电荷 (Qg) 仅为 106 nC,减少了驱动器的负载。

    应用案例和使用建议


    IPP50R199CP-VB 在多个应用中表现出色,包括:
    - 服务器和电信电源供应:用于高可靠性要求的应用场合。
    - 工业焊接和电池充电:适合需要高效能和低损耗的设备。
    - 太阳能逆变器:应用于光伏系统中,提高转换效率。
    使用建议:
    - 电路布局:确保低寄生电感,采用接地平面,减少泄漏电感。
    - 散热设计:合理选用散热器,避免高温影响设备性能。

    兼容性和支持


    IPP50R199CP-VB 与同类设备兼容,可方便地集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,以帮助客户快速解决问题并获得最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的散热器?
    - 解决方案:根据器件的最大功率耗散和热阻来选择合适尺寸的散热器,确保温度在安全范围内。
    - 问题2:如何测试器件的开关性能?
    - 解决方案:利用图13和图14所示的测试电路,通过调整测试条件来测量开关时间。

    总结和推荐


    IPP50R199CP-VB 是一款高性能的N沟道超结MOSFET,具备低损耗、快速切换和高可靠性的优点。它在多种应用中表现出色,特别适用于需要高效能和低功耗的场合。因此,强烈推荐在相关项目中采用此款产品。如果您有任何疑问,可通过服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获得更多技术支持。

IPP50R199CP-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP50R199CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP50R199CP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP50R199CP-VB IPP50R199CP-VB数据手册

IPP50R199CP-VB封装设计

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