处理中...

首页  >  产品百科  >  BUK457-450B-VB

BUK457-450B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: BUK457-450B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK457-450B-VB

BUK457-450B-VB概述

    BUK457-450B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    BUK457-450B-VB 是一种 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)。该产品广泛应用于多种电力转换和控制场合,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 650 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.123 Ω @ 25°C, VGS=10V
    - 最大连续漏电流(ID): 1.5 A @ TJ=150°C
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 需根据最大结温确定
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 21 mJ
    - 热阻(RthJA): 63 °C/W
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)): 2 - 4 V
    - 输入电容(Ciss): 147 pF
    - 输出电容(Coss): 3.7 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 186 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻和低栅极电荷: 有助于降低开关损耗和导通损耗。
    2. 高雪崩耐受能力: 保证了在极端条件下的可靠性。
    3. 快速开关速度: 减少热耗散,提高效率。
    4. 高输入电容: 支持高频操作。
    5. 温度稳定性: 在较宽的温度范围内保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 利用其低导通电阻和高可靠性。
    - 照明系统: 尤其适用于高强度放电灯和荧光灯,通过优化电路设计可实现更好的能效。
    - 工业用途: 在需要快速响应和高可靠性的场合下表现出色。

    兼容性和支持


    BUK457-450B-VB 适用于各种标准封装,如 TO-220AB,支持广泛的电路设计。厂商提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够在各种应用场景中发挥最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:最大连续漏电流是多少?
    - 答:最大连续漏电流为 1.5 A @ TJ=150°C。
    2. 问:如何处理过高的栅极-源极电压?
    - 答:确保 VGS 不超过 ±30 V,以避免损坏。
    3. 问:雪崩耐受能力如何验证?
    - 答:可通过测试其在极限条件下的表现来验证,例如进行雪崩耐久性测试。

    总结和推荐


    BUK457-450B-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,其低导通电阻和快速开关速度使其在多个领域都有出色的表现。对于追求高效、可靠的电力转换和控制系统的应用来说,该产品是一个非常不错的选择。建议在涉及高频率、高效率需求的应用场景中使用。
    结论
    总体而言,BUK457-450B-VB 以其优异的性能、稳定性和广泛应用范围,成为了一款值得推荐的产品。无论是对于电源转换、还是工业自动化等领域,该产品都是理想的选择。

BUK457-450B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

BUK457-450B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK457-450B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK457-450B-VB BUK457-450B-VB数据手册

BUK457-450B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336