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K3587-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3587-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3587-01MR-VB

K3587-01MR-VB概述

    K3587-01MR-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3587-01MR-VB 是一款N沟道100伏特(漏极到源极)的功率MOSFET。它采用TrenchFET®技术制造,具有高可靠性和高温度耐受能力。适用于电源管理、马达控制及开关电源等需要高电流密度和低导通电阻的应用场景。

    技术参数


    - 最大栅源电压:±20V
    - 漏极-源极电压(VDS):100V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):90A
    - 脉冲漏极电流:287A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
    - 最大功耗:56W(TO-220F封装)
    - 热阻:结点至环境热阻(TO-220)40°C/W
    - 栅阈值电压:1V 至 3V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA(VDS = 100V, VGS = 0V)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):120A(VDS ≥ 5V, VGS = 10V)
    - 导通状态电阻(RDS(on)):0.008Ω @ 10V, 0.0100Ω @ 6V
    - 输入电容(Ciss):6550pF
    - 反向传输电容(Crss):265pF
    - 总栅电荷(Qg):105nC
    - 栅源电荷(Qgs):17nC
    - 栅漏电荷(Qgd):23nC

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:符合RoHS标准,适用于各种苛刻的工作环境。
    2. 高温度耐受能力:最高可达175°C。
    3. 低导通电阻:漏极-源极导通电阻仅为0.008Ω(10V时),确保高效的电力转换。
    4. 快速开关性能:低输入电容和快速的开关延迟时间,提高系统的响应速度。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:适合用于高效能电源转换,特别是在DC-DC转换器和开关电源中。
    - 电机控制:低导通电阻和快速开关性能使其成为电动机控制的理想选择。
    - LED驱动器:适用于驱动大电流的LED灯具。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热设计,避免过高的温度导致器件失效。
    - 使用时注意栅极驱动电路的设计,以防止过压和过流情况的发生。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与标准的TO-220封装兼容,可直接替换其他同类型的MOSFET器件。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户进行正确的安装和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动时出现过高的漏极电流。
    - 解决方案:检查电路中的负载是否过大,或者栅极驱动电路是否有异常。
    - 问题:温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热方式,如液冷。

    总结和推荐


    K3587-01MR-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和快速开关性能,适用于多种应用场景。其高温度耐受能力和高可靠性使其成为系统设计的理想选择。建议在设计复杂系统时使用此产品,尤其是在需要高效率和稳定性的场合。总体来说,该产品表现优秀,强烈推荐使用。

K3587-01MR-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 90A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K3587-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3587-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3587-01MR-VB K3587-01MR-VB数据手册

K3587-01MR-VB封装设计

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