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HMS11N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: HMS11N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HMS11N60-VB

HMS11N60-VB概述

    HMS11N60-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    HMS11N60-VB 是一款高集成度的650V N沟道超结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要用于高频开关电源和高性能应用中,能够有效降低开关损耗和导通损耗。该器件适用于多种场合,如服务器和通信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统及太阳能逆变器)。

    2. 技术参数


    - 最高击穿电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.23Ω @ VGS = 10V, TJ = 25°C
    - 总栅极电荷 (Qg): 24nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 6nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 11nC
    - 连续漏电流 (ID): 15A @ TC = 25°C, 10A @ TC = 100°C
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 45A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 286mJ
    - 最大功耗 (PD): 180W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低阻值 (FOM) Ron x Qg: 有助于减少开关损耗和导通损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了栅极驱动电路的负担。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 降低了开关损耗。
    - 雪崩能量额定 (UIS): 确保在恶劣环境下也能可靠工作。
    - 广泛的应用范围: 涵盖多个领域的不同应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 需要高效稳定的电源解决方案,HMS11N60-VB 可以提供出色的电源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS): 在高频应用中,HMS11N60-VB 能够显著降低开关损耗,提高整体效率。
    - 工业应用 (如焊接和感应加热): 具有较高的电流和电压耐受能力,适合大功率设备。
    使用建议:
    - 确保散热良好: MOSFET在高电流下工作时会产生大量热量,需要适当的散热措施。
    - 栅极驱动电路设计: 避免过高的栅极电压,以防止损坏器件。
    - 应用环境温度控制: 特别是在高温环境下,要注意散热,确保器件安全运行。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: TO-220AB,适合标准的功率封装应用。
    - 厂商支持: 厂商提供了详细的技术文档和热管理指南,以帮助客户更好地理解和使用产品。
    - 与其他元器件的兼容性: HMS11N60-VB 与现有的标准驱动器和电源管理系统兼容,易于集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下电流下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,可以使用散热片或风扇。
    - 问题: 开关损耗高。
    - 解决方案: 使用较低的栅极电压,或者优化电路设计以减少开关频率。
    - 问题: 雪崩保护不足。
    - 解决方案: 确保器件工作在额定的雪崩能量范围内,并且配置适当的电路保护机制。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HMS11N60-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道超级结功率 MOSFET,特别适用于要求高效率、低损耗的应用场合。其优异的特性使得它在服务器、电信、工业电源等领域具有很高的应用价值。推荐使用 HMS11N60-VB 进行高频、高效能电源设计。

HMS11N60-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HMS11N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HMS11N60-VB数据手册

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HMS11N60-VB封装设计

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