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PHX3N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: PHX3N60E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX3N60E-VB

PHX3N60E-VB概述

    PHX3N60E N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PHX3N60E 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,具有高电压特性(耐压650V)。它适用于多种电力转换应用,如电源管理、逆变器、马达驱动等场合。其主要功能在于通过优化的门极电荷和击穿电压,降低系统的设计复杂度并提升可靠性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 30 V |
    | 持续漏电流 | ID 1.28 A |
    | 脉冲漏电流 | IDM 8 | A |
    | 最大功耗 | PD 25 | W |
    | 雪崩能量 | EAS 165 | mJ |
    | 最大结温 | TJ | -55 +150 | °C |
    其他技术规格请参考相关图表和手册。

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 低门极电荷(Qg)确保了简单的驱动要求。
    - 增强的门极抗扰性: 提高了门极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。
    - 全面的容差测试: 包括容量、雪崩电压和电流的完全表征。
    - 符合RoHS标准: 产品完全符合2002/95/EC指令。

    4. 应用案例和使用建议


    PHX3N60E 常见的应用场景包括电源转换、马达控制及工业自动化等领域。在这些应用场景中,其高效的转换能力和稳定性被广泛认可。为了获得最佳性能,建议用户在设计时考虑到电路板布局中的寄生电感最小化、良好接地和平面设计等措施。

    5. 兼容性和支持


    PHX3N60E 与各种驱动电路高度兼容,并且可以通过供应商提供的技术支持和服务来确保其最佳运行。厂商提供了详尽的使用指南和故障排除文档以帮助用户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一: 初始启动时器件发热严重。
    - 解决方案: 检查散热机制是否正确安装,增加散热片以提高散热效率。
    - 问题二: 开关时间不稳定。
    - 解决方案: 确认栅极电阻选择合适,必要时调整以优化开关速度。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PHX3N60E 以其高效、可靠和易于集成的特点,在众多应用场景中表现出色。对于需要高电压耐受性的设计项目来说,这款MOSFET是一个值得推荐的选择。我们强烈建议工程师和技术人员在选择合适的电子元器件时考虑这款产品。

PHX3N60E-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX3N60E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX3N60E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHX3N60E-VB PHX3N60E-VB数据手册

PHX3N60E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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