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HM7N60S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: HM7N60S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM7N60S-VB

HM7N60S-VB概述

    HM7N60S 4VQFS+VODUJPO Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM7N60S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用领域。这款 MOSFET 以其低导通电阻(RDS(on))和高雪崩耐受能力而闻名,广泛应用于服务器、电信电源供应系统、开关电源、功率因数校正电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)及工业设备中。

    技术参数


    HM7N60S 的关键技术参数如下:
    - 额定电压 (VDS): 最大为 650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 25 °C 时为 8 A,100 °C 时为 3 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大值为 0.70 Ω (在 10 V 门极驱动电压下)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 34 nC
    - 门极电荷 (Qgs): 11.1 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 18.8 nC
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±30 V
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 封装形式: TO-220AB, TO-252, TO-251

    产品特点和优势


    HM7N60S 具备多项优势,使其在市场上具有显著的竞争力:
    - 低导通电阻 (RDS(on)) 和低输入电容 (Ciss):这使得 MOSFET 在导通状态下的损耗和开关过程中的能量损失降低,有助于提高能效。
    - 高雪崩耐受能力 (EAS):保证了 MOSFET 在面对瞬态高压事件时的安全运行。
    - 超低栅极电荷 (Qg):简化了驱动电路设计,减少驱动功耗。
    - 快速开关速度:能够迅速响应信号变化,提高系统效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    HM7N60S 在多种应用中表现优异,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统:通过其高可靠性确保电源供应系统的稳定运行。
    - 开关电源 (SMPS):利用其低损耗特性实现高效的能源转换。
    - 照明系统:特别是高强度放电灯和荧光灯镇流器,提升灯具的节能效果。
    使用建议:
    - 热管理:由于其较高的最大功率耗散 (PD),建议使用散热器或其他热管理措施以确保可靠运行。
    - 驱动电路设计:选择合适的栅极电阻 (Rg) 以优化开关时间和减少功耗。

    兼容性和支持


    HM7N60S 可以轻松集成到现有的电源系统中,并且与多种标准电源管理和控制芯片兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中的损耗过高。
    - 解决方案: 调整栅极电阻 (Rg) 或者增加散热措施,以优化开关时间和减少功耗。

    - 问题: 过高的漏极-源极电压波动。
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动电压和频率,或者选择适合的滤波电容器。

    总结和推荐


    HM7N60S 以其出色的性能、高度的可靠性和广泛的适用性成为市场上极具竞争力的产品。其在各种应用中的表现都极为优秀,特别是在需要高效能和高可靠性的领域。因此,强烈推荐在各类电源管理系统和高可靠性要求的应用中使用此产品。若需进一步技术支持或详细信息,可联系台湾 VBsemi 官方热线 400-655-8788 获取更多资料。

HM7N60S-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM7N60S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM7N60S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM7N60S-VB HM7N60S-VB数据手册

HM7N60S-VB封装设计

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