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J190-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J190-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J190-VB

J190-VB概述

    P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是P-Channel 60-V(漏极-源极)MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。该MOSFET适用于负载开关应用,并已通过100% UIS测试。它主要通过高效率的功率转换来降低损耗,并在广泛的温度范围内保持稳定的工作性能。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 连续漏极电流 (ID):-5.2A (TC = 70°C),-0.8A (TC = 25°C)
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):4.5A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):10.1mJ
    - 正向二极管电流 (IS):6.9A (TC = 25°C)
    - 最大功耗 (PD):10.4W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (RthJA):33°C/W(典型值),40°C/W(最大值)
    - 输入电容 (Ciss):1500pF (VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):200pF
    - 反向传输电容 (Crss):150pF
    - 总栅极电荷 (Qg):38nC(VDS = -30V, VGS = -10V, ID = -5A)

    产品特点和优势


    该P-Channel MOSFET具备多项独特优势:
    - 高可靠性和稳定性:通过100% UIS测试确保长期可靠性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在各种条件下提供低损耗操作。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C到150°C之间稳定运行。
    - 低热阻:有助于快速散热,延长产品寿命。
    - 出色的动态特性:包括输入电容、输出电容和反向传输电容的优良性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:适用于负载开关,如电源管理电路中的功率开关、继电器控制等。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,应考虑其最大栅极-源极电压 (VGS) 和栅极电荷 (Qg) 参数。
    - 要确保电路中其他元件与MOSFET的匹配,特别是栅极电阻 (Rg) 和负载电阻 (RL) 的选择。
    - 注意散热设计,特别是在高功率应用中,合理布置散热片以保证良好的热稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SOT89封装兼容,可直接安装于FR4板上。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档、应用指南及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电压过高导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压不超过±20V。

    - 问题2:导通电阻异常升高。
    - 解决方案:检查工作温度和电流是否超过规定范围,进行适当调整。
    - 问题3:过流保护未正常工作。
    - 解决方案:检查驱动电路和负载电路的连接是否正确,必要时增加外部保护电路。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 60-V MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,具有广泛的适用范围和优异的应用性能。它适合用于负载开关等场合,且厂商提供的技术支持完善。基于以上特点,我们强烈推荐使用该产品。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

J190-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J190-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J190-VB数据手册

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J190-VB封装设计

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