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J244-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J244-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J244-VB

J244-VB概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道30V(漏-源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为J244。它采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于负载开关和电池开关等领域。本产品不含卤素,符合IEC 61249-2-21定义,适合于绿色环保应用。

    技术参数


    - 漏-源电压 \(V{DS}\): -30 V
    - 漏极连续电流 \(ID\): -7.6 A (TC = 25°C), -5.8 A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): -35 A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 6.5 W (TC = 25°C), 3.5 W (TC = 70°C)
    - 绝对最大额定值温度范围: -55°C 至 150°C
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJA}\): 40°C/W (典型), 50°C/W (最大)
    静态参数
    - 漏-源击穿电压 \(V{DS}\): -30 V
    - 漏-源开启电阻 \(R{DS(on)}\): 0.050 Ω (VGS = -10 V), 0.056 Ω (VGS = -4.5 V)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1355 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 180 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 145 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 25 nC (VGS = -10 V), 13 nC (VGS = -4.5 V)
    动态参数
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 10 ns (VGS = -10 V), 38 ns (VGS = -4.5 V)
    - 上升时间 \(tr\): 13 ns (VGS = -10 V), 89 ns (VGS = -4.5 V)
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 23 ns (VGS = -10 V), 22 ns (VGS = -4.5 V)
    - 下降时间 \(tf\): 9 ns (VGS = -10 V), 11 ns (VGS = -4.5 V)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 在特定电压下,漏-源开启电阻 \(R{DS(on)}\) 可达0.050 Ω,确保高效电流传输。
    2. 高可靠性: 符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,适用于绿色环保应用。
    3. 高电流处理能力: 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\) 达到-35 A,适合高电流应用。
    4. 宽工作温度范围: 工作温度范围从-55°C至150°C,适应各种恶劣环境。
    5. 优越的动态特性: 快速的开关时间和低漏电流保证了高效的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关: J244可用于电路中的负载开关,如汽车电子系统中的电源管理模块。
    - 电池开关: 用于便携式电子设备的电池管理,提高效率和安全性。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑散热措施,以确保在高电流条件下设备的稳定性。
    - 为了降低热阻,建议使用散热片或其他散热方式,以确保设备在高功耗情况下的正常运行。
    - 注意控制栅极电压,避免过高的栅极电压导致器件损坏。

    兼容性和支持


    J244具有广泛的兼容性,可与其他标准SOT89封装的电子元件配合使用。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,包括产品手册、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 无法达到预期的电流
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保栅极电压符合要求。
    2. 问题: 温度过高导致设备失效
    - 解决方案: 采取散热措施,如加装散热片或改善通风条件。
    3. 问题: 设备出现异常噪音
    - 解决方案: 检查是否有短路现象,检查焊接点是否牢固。

    总结和推荐


    总体而言,J244 MOSFET以其出色的性能、稳定的工作特性和广泛的应用领域,在负载开关和电池管理方面表现出色。其低导通电阻、高可靠性以及宽工作温度范围使其成为高性能应用的理想选择。对于需要高电流和高可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用J244 MOSFET。

J244-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5.8A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J244-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J244-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J244-VB J244-VB数据手册

J244-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
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500+ ¥ 0.7773
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