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UPA611TA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,4.8A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA611TA-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA611TA-VB

UPA611TA-VB概述

    UPA611TA 双N沟道20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UPA611TA 是一款双N沟道20V(D-S)MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它主要应用于需要高功率密度和高效能转换的应用场景,如开关电源、电机驱动、通信设备等。其独特之处在于采用了先进的TrenchFET®工艺技术,确保了低导通电阻和高频性能。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 20V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±12V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 4A (TC = 25°C),3.5A (TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 18A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 4.5V\), \(ID = 3.4A\): 0.022Ω
    - \(V{GS} = 2.5V\), \(ID = 3.0A\): 0.028Ω
    - 电气特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 400pF (VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 55pF
    - 逆向转移电容 \(C{rss}\): 26pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 1.8nC (VDS = 10V, VGS = 4.5V, ID = 3.4A)
    - 工作环境:
    - 工作温度范围 \(T{J}, T{STG}\): -55°C 至 150°C
    - 热阻 \(R{thJA}\): 93°C/W (最大)
    - 焊接温度 (峰值): 260°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.022Ω (VGS = 4.5V, ID = 3.4A),使得在大电流下具有低功耗和高效率。
    - 高频性能:采用TrenchFET®技术,支持高频率操作。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,卤素无害材料。
    - 全面测试:100%栅极电阻测试,确保产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:适合用于高频开关电源,因其具备优秀的高频性能和低导通电阻。
    - 电机驱动:适用于电动机驱动电路,可以有效降低能量损耗。
    - 通信设备:适用于各种通信设备中,保证高效稳定的信号传输。
    使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,应根据具体的电路需求和负载特性来选择合适的值。
    - 在焊接过程中,确保焊接温度不超过260°C,以避免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UPA611TA 尺寸为TSOP-6,具有良好的互换性,适用于大多数常见的PCB设计。
    - 支持:台湾VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的规格书和技术支持热线400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:UPA611TA 的最大工作温度是多少?
    - A:UPA611TA 的最大工作温度范围是-55°C 至 150°C。

    - Q:如何确定UPA611TA的导通电阻?
    - A:导通电阻 \(R{DS(on)}\) 随温度变化而变化,具体数值可在技术手册的典型特性章节中查找。例如,在\(V{GS} = 4.5V\) 和 \(ID = 3.4A\) 下,\(R{DS(on)}\) 为0.022Ω。

    7. 总结和推荐


    总结:
    UPA611TA 具备高效率、低导通电阻和宽工作温度范围等显著优势,是一款性能卓越的双N沟道MOSFET。其在多种应用中的优秀表现使其成为开关电源、电机驱动和通信设备的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐使用UPA611TA,特别是在需要高功率密度和高效能转换的应用场景中。台湾VBsemi提供的详尽技术支持和服务将进一步提升用户体验和产品可靠性。

UPA611TA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4.8A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA611TA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA611TA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA611TA-VB UPA611TA-VB数据手册

UPA611TA-VB封装设计

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