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K2311-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K2311-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2311-VB

K2311-VB概述

    K2311-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K2311-VB 是一款单片式 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和电源转换等领域。该产品具有隔离封装设计,使其适用于需要高电压隔离的应用场合。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 10V 时 0.027Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 95nC
    - 输入电容 (Ciss): 1500pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向转移电容 (Crss): -
    - 栅源电荷 (Qgs): 27nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 46nC
    - 连续漏极电流 (ID): 45A(在 25°C 下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 220A
    - 动态 dV/dt 评级:
    - 最大功率耗散 (PD): 52W(在 25°C 下)
    - 最高工作温度 (TJ): 175°C

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离: 该产品具备 2.5kVRMS 的高压隔离能力,保证了在高电压环境中运行的安全性。
    2. 低热阻: 采用低热阻设计,可以有效提高散热效率,降低热管理难度。
    3. 快速开关特性: 该 MOSFET 具有快速的开关时间,适用于需要快速响应的应用场合。
    4. 可靠性高: 采用无铅设计,符合 RoHS 标准,确保长期使用的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源: 由于 K2311-VB 具有高电流和快速开关特性,非常适合用于开关电源的设计。
    - 电机驱动: 该 MOSFET 的高电压隔离能力使得它可以在电机驱动电路中稳定工作。
    - 电源转换: 在电源转换应用中,其低导通电阻可以有效减少损耗,提高效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是当器件在高温环境下工作时。
    - 使用低泄漏电感电流变换器进行测试,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    K2311-VB MOSFET 与大多数标准电源和电机控制板兼容。制造商提供全面的技术支持,包括在线文档、技术支持热线(400-655-8788)以及详细的使用说明。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下运行时出现过热问题。
    - 解决方案: 增加散热器或改进散热设计,确保良好的空气流通。

    - 问题: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 添加缓冲电路,如 RC 缓冲器,以减少振铃现象。

    总结和推荐


    K2311-VB N-Channel MOSFET 以其出色的性能和广泛的应用范围成为市场上备受关注的产品之一。它的高电压隔离、低导通电阻和快速开关特性使其在各种电力电子应用中表现出色。因此,强烈推荐该产品用于需要高性能 MOSFET 的场合。

K2311-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2311-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2311-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2311-VB K2311-VB数据手册

K2311-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
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