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IRF7379QTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: IRF7379QTRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7379QTRPBF-VB

IRF7379QTRPBF-VB概述

    IRF7379QTRPBF 双极型 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7379QTRPBF 是一款高性能的双极型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),集成了N-通道和P-通道两种类型的晶体管。它特别适用于电源管理和移动电源等应用领域。该产品采用了最先进的沟槽技术(TrenchFET®),具有出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压): 30 V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - N-通道: 0.018 Ω(VGS = 10 V)
    - P-通道: 0.040 Ω(VGS = -10 V)
    - ID(连续漏极电流):
    - N-通道: 8 A(TJ = 150 °C)
    - P-通道: 8 A(TJ = 150 °C)
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压): ±30 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V
    - ID(连续漏极电流):
    - TC = 25 °C: 8 A
    - TC = 70 °C: 6.8 A
    - IDM(脉冲漏极电流): 40 A
    - PD(最大耗散功率):
    - TC = 25 °C: 3.1 W
    - TC = 70 °C: 2 W
    - 热阻
    - RthJA(结到环境的最大热阻): 50 °C/W(N-通道),47 °C/W(P-通道)

    产品特点和优势


    IRF7379QTRPBF 的主要特点和优势包括:
    - 高可靠性和稳定性:100% 防护测试,符合RoHS指令。
    - 低导通电阻:优秀的导通电阻使得功耗更低,提高效率。
    - 高电流能力:支持高达40 A的脉冲电流,满足多种应用需求。
    - 卓越的温度适应性:能在-55 °C到150 °C的工作温度范围内正常工作。
    - 快速开关速度:低导通电阻和高速开关特性,使得电源管理更高效。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:IRF7379QTRPBF 在电机驱动系统中表现出色,可以有效控制电流并减少功耗。
    - 移动电源:利用其高效的电能转换能力和低功耗特性,可显著延长移动电源的续航时间。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高负载下工作时。
    - 使用合适的驱动电路以确保良好的开关特性。
    - 考虑环境温度的影响,在高温环境下可能需要额外的散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF7379QTRPBF 与标准的SO-8封装兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:过高的漏电流
    - 解决方案:检查栅源电压(VGS)是否正确设置,确保不超过最大额定值。
    - 问题二:温度过高导致的损坏
    - 解决方案:改善散热条件,例如增加散热片或风扇。

    总结和推荐


    IRF7379QTRPBF 是一款高性能、高可靠性的双极型MOSFET,适用于多种电源管理和电机驱动的应用场合。其低导通电阻、高电流能力和宽工作温度范围使其在市场上具备很强的竞争优势。我们强烈推荐使用该产品,尤其对于要求高效率和稳定性的应用场景。
    如需进一步了解产品详细信息和技术支持,欢迎访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRF7379QTRPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A,6A
FET类型 N+P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7379QTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7379QTRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7379QTRPBF-VB IRF7379QTRPBF-VB数据手册

IRF7379QTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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