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NCE70H12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: NCE70H12-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE70H12-VB

NCE70H12-VB概述

    NCE70H12 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE70H12 是一款适用于电源转换和电机控制领域的 N 沟道 MOSFET。它具备低热阻封装、出色的开关性能以及优异的可靠性。这款产品广泛应用于工业自动化、电力供应系统及汽车电子等领域,可显著提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大漏源电压(V): 60V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时: 210A
    - TC = 125°C 时: 120A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 480A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 75A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 281mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C 时: 375W
    - TC = 125°C 时: 125W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 热阻率(RthJA): 40°C/W
    - 结到壳体热阻率(RthJC): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 标准,确保环保合规。
    2. TrenchFET® 功率 MOSFET 技术:具备高导电性和低损耗特性。
    3. 低热阻封装:采用低热阻设计,提高散热效果。
    4. 100% 阻抗和雪崩测试:确保产品质量可靠。
    5. 符合 RoHS 指令:满足欧盟 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 工业自动化:适用于各种电机驱动和电源转换应用。
    - 电力供应系统:能够有效管理大电流负载,确保系统稳定运行。
    - 汽车电子:适用于新能源汽车的电机驱动控制模块。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保安装在具有适当散热措施的 PCB 上。
    - 根据应用要求选择合适的电路板尺寸和材质。
    - 在高负载条件下,注意监测温度,避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 该产品支持与标准 TO-220AB 封装的其他电子元件兼容。
    - 厂商提供技术支持和服务,包括应用咨询和技术培训。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下设备性能下降。
    解决方案:确保良好的散热措施,例如增加散热片或选择散热更好的 PCB 材料。
    2. 问题:脉冲电流超限导致设备损坏。
    解决方案:合理配置电路参数,确保脉冲电流不超过额定值。

    总结和推荐


    NCE70H12 以其出色的性能、可靠的热管理和环保特性,在多种应用场合中表现出色。尤其适合于需要高效能和稳定性的高功率系统。总体而言,推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用 NCE70H12。

NCE70H12-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 210A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE70H12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70H12-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE70H12-VB NCE70H12-VB数据手册

NCE70H12-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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