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KHB5D0N50F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KHB5D0N50F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB5D0N50F-VB

KHB5D0N50F-VB概述

    KHB5D0N50F 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB5D0N50F 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于多种工业及电力供应系统。其独特的低导通电阻(RDS(on))设计使其在众多应用场景中具有显著的优势,如服务器电源、电信设备、开关模式电源、功率因数校正电路以及照明设备等。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大栅极-源极电压(VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):4 A
    - 最大功耗(PD):140 W
    - 绝对最大额定值:栅极-源极电压(VGS)± 30 V,栅极-源极反向泄漏电流(IGSS)VGS = ± 20 V时小于 ± 100 nA
    - 热阻抗(TJ = 25 °C):最大结到环境热阻(RthJA)为 63 °C/W
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):典型值为 1 nF
    - 输出电容(Coss):最大值为 10 nF
    - 有效输出电容(Co(tr)):最大值为 2.3 μC
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 40 nC
    - 开关时间特性:上升时间(tr)≤ 20 ns,下降时间(tf)≤ 20 ns
    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):最大值为 650 V
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):最小值为 2.5 V,最大值为 5 V
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为 1.67 Ω @ 10 V 栅极电压

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):有助于减少功耗和提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):降低驱动损耗,提高开关速度。
    - 超低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高能效。
    - 强大的重复瞬态电压能力:可以承受高达 90 V/ns 的瞬态电压,适合高频开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB5D0N50F 功率 MOSFET 广泛应用于服务器和通信电源、开关模式电源、功率因数校正电路及各类照明设备中。例如,在高亮度放电灯(HID)和荧光灯的照明系统中,KHB5D0N50F 可以显著提升系统的可靠性和效率。
    - 使用建议:在选择 MOSFET 时,应确保其最大工作温度和电流参数符合应用需求,同时需注意 PCB 布局以减少寄生电感,提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与大多数主流工业标准的电气连接接口兼容。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,包括电路设计指南和可靠性测试报告。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:在高湿度环境下使用时出现漏电现象?
    - A: 确保所有引脚焊接良好,并采用密封封装或防潮剂处理。
    - Q:长时间使用后出现性能下降?
    - A: 定期检查散热系统,确保器件在安全工作范围内运行,避免过热。

    7. 总结和推荐


    综上所述,KHB5D0N50F 功率 MOSFET 在多种工业和消费电子应用中表现出色,尤其适合需要高可靠性和高效能的应用场景。通过其优异的电气特性和稳健的设计,这款 MOSFET 能够帮助用户实现更高效的能源管理和更高的系统可靠性。因此,我们强烈推荐使用 KHB5D0N50F 功率 MOSFET 作为您的首选电子元件。

KHB5D0N50F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB5D0N50F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB5D0N50F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB5D0N50F-VB KHB5D0N50F-VB数据手册

KHB5D0N50F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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