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IRF5806TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-IRF5806TRPBF-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF5806TRPBF-VB

IRF5806TRPBF-VB概述

    IRF5806TRPBF P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF5806TRPBF 是一款高性能的P沟道30V(漏源)MOSFET,专为负载开关等应用而设计。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻、高耐压和卓越的电气性能,适用于各种电源管理和控制场合。

    技术参数


    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏电流 \( ID \) (TC=25°C): 4.8A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 20A
    - 最大功率耗散 \( PD \) (TC=25°C): 3.0W
    - 最大热阻 \( R{thJA} \): 55°C/W (脉冲测试)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): -0.5V至-2.0V
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 450pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 80pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 63pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 5.1nC至15nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 在VGS = -10V时,RDS(on)为0.049Ω,在VGS = -4.5V时为0.054Ω。
    2. 高耐压: 支持高达30V的漏源电压。
    3. 可靠性高: 采用TrenchFET®技术,提高长期稳定性和耐用性。
    4. 高效能: 优秀的电气特性和低功耗使其成为电源管理的理想选择。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关: 由于其低导通电阻和高耐压,适合用于电源开关电路。
    - 电机控制: 作为电机驱动器的开关元件,可实现高效的电力转换。
    - LED背光驱动: 可用于调节背光源的电流,以达到最佳的显示效果。
    使用建议:
    - 确保电路中的其他元件能够承受MOSFET的最大功率耗散。
    - 使用散热片以提高散热效率,特别是在长时间工作的情况下。
    - 注意MOSFET的输入电容和输出电容,避免电路振荡。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF5806TRPBF 适用于各种电源管理系统和控制电路,与其他标准电子元件兼容。
    - 支持: 供应商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决问题并进行系统集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 为什么需要散热片?
    - 解决办法: 散热片可以有效降低器件温度,延长使用寿命,特别是在高温环境下。
    2. 问题: 如何防止电路振荡?
    - 解决办法: 合理布局电容,确保输入和输出电容匹配,并适当增加阻尼电阻。

    总结和推荐


    IRF5806TRPBF P-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具备低导通电阻、高耐压和优异的电气性能。其广泛应用于负载开关、电机控制和LED背光驱动等领域,是电源管理和控制系统中的理想选择。通过提供有效的散热和正确的电路布局,可以最大限度地发挥其性能。强烈推荐给需要高效电力转换和管理的工程师和技术人员。
    联系方式:服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

IRF5806TRPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 4.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF5806TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF5806TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF5806TRPBF-VB IRF5806TRPBF-VB数据手册

IRF5806TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0748
50+ ¥ 1.0116
150+ ¥ 0.9029
500+ ¥ 0.6765
3000+ ¥ 0.6512
9000+ ¥ 0.6322
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