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9565GEJ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-55A,RDS(ON),10mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 9565GEJ-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9565GEJ-VB

9565GEJ-VB概述


    产品简介


    P-Channel 40V (D-S) MOSFET(40V沟道P-MOSFET)
    基本介绍:
    - 产品类型:P-通道40V (漏源极) MOSFET
    - 主要功能:提供高效的开关性能和高可靠性
    - 应用领域:适用于工业控制、电源管理、通信设备及电机驱动等多种领域

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压:VGS = ±40 V
    - 持续漏极电流(TJ = 175°C):TC = 25°C 时 ID ≤ 10 A;TC = 125°C 时 ID ≤ 52 A
    - 脉冲漏极电流:IDM ≤ 220 A
    - 雪崩电流:IAR ≤ 60 A
    - 重复雪崩能量:EAR ≤ 180 mJ
    - 功率耗散:TC = 25°C 时 PD ≤ 45 W;TA = 25°C 时 PD ≤ 3.75 W
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 175°C
    热阻
    - 结至环境热阻(PCB安装,TO-263封装):RthJA ≤ 40°C/W
    - 结至外壳热阻:RthJC ≤ 0.8°C/W
    静态特性
    - 漏源击穿电压:VDS ≥ 40 V
    - 栅极阈值电压:VGS(th) = -1.0 V 至 -2.5 V
    - 栅体泄漏:IGSS = ±100 nA
    - 零栅电压漏极电流:IDSS ≤ -1 µA
    - 正向传输导纳:gfs = 20 S
    - 输入电容:Ciss = 3000 pF
    - 输出电容:Coss = 620 pF
    - 反向传输电容:Crss = 315 pF
    - 总栅极电荷:Qg = 160 nC
    - 栅极-源极电荷:Qgs = 32 nC
    - 栅极-漏极电荷:Qgd = 30 nC

    产品特点和优势


    - 高效开关性能:低导通电阻(RDS(on))确保了高效的电流处理能力。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无铅化设计,保障环保安全。
    - 宽工作温度范围:可在极端温度环境下稳定工作。
    - 高雪崩电流和能量:支持较大的电流脉冲和高能量负载,适用于多种工业应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制:用于各种需要高可靠性控制的应用中。
    - 电源管理:作为电源转换电路的关键组件。
    - 通信设备:适用于高频通讯系统。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中实现高效能开关操作。
    使用建议
    - 散热管理:确保电路板良好散热,避免高温导致的性能下降。
    - 保护措施:考虑添加适当的保护电路,如瞬态电压抑制器,以防止意外过压。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够高的栅极电压,以保证最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与其他主流的MOSFET具有良好的互换性,可广泛应用于现有的电子设备中。
    - 支持和服务:由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品培训、技术支持和快速响应的客户支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过大 | 确保栅极驱动信号足够强,并检查电路是否有短路或接触不良现象。 |
    | 温度过高 | 适当增加散热片或采用更高效的散热设计,确保工作温度在额定范围内。 |
    | 寿命短 | 定期检查并清洁电路板,保持良好的工作环境,减少灰尘和湿气的影响。 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:低导通电阻,高可靠性,宽工作温度范围,适合高功率应用。
    - 缺点:需要较好的散热设计,成本相对较高。
    推荐结论
    P-Channel 40V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,适用于多种工业应用场合。尽管价格稍高,但其优秀的性能和可靠的稳定性使其成为值得投资的选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

9565GEJ-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 55A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,14mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9565GEJ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9565GEJ-VB数据手册

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9565GEJ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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