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J221-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: J221-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J221-VB

J221-VB概述

    J221-VB P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    J221-VB 是一款采用 TO-220AB 封装的 P 沟道 MOSFET,主要应用于功率开关和 DC/DC 转换器领域。这款器件不仅符合环保标准(无卤素),还通过了 Rg 和 UIS 测试,确保其可靠性和高效性。它特别适合于需要高电流和低电阻的应用场景,如电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是 J221-VB 的关键技术规格:
    - 最大耐压 (VDS):100 V
    - 连续漏极电流 (ID):-23 A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-70 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):16.2 mJ
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):-1 µA (VDS = -100 V, TJ = 125°C)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.100 Ω (VGS = -10 V, ID = -3.6 A),0.120 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -3.4 A)
    - 总栅极电荷 (Qg):23.2 nC (VDS = -50 V, VGS = -10 V, ID = -3.6 A)

    产品特点和优势


    J221-VB 具备多项独特功能和优势:
    - 环保设计:符合无卤素要求,环保合规。
    - 高性能:出色的耐压和漏极电流能力,适用于高压大电流场合。
    - 低阻抗:超低的 RDS(on) 值,减少功耗,提高效率。
    - 快速响应:快速的开关速度,有效减少转换损耗。
    - 可靠性高:100% 测试保证,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    J221-VB 在多个应用中表现出色,尤其是在直流转换器和高功率开关电路中。例如,在一个典型的 DC/DC 转换器中,J221-VB 可以有效地控制电流并提供高效率的电源输出。为了优化使用效果,建议注意以下几点:
    - 散热管理:由于其高电流承载能力,应确保良好的散热条件,以避免过热问题。
    - 电路布局:合理布局栅极和源极,减少寄生电容的影响,从而提升整体性能。
    - 驱动电路:选择合适的驱动电路以确保快速的开关转换,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    J221-VB 与大多数主流的 PCB 设计和安装工艺兼容,如 FR-4 材料的电路板。此外,制造商提供了详细的技术支持文档和服务热线(400-655-8788),帮助客户解决在设计和使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:在高电流条件下,器件温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热材料,确保良好的散热条件。

    - 问题:电路切换时,出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路布局,优化栅极和源极连接,减少寄生电容的影响。

    总结和推荐


    J221-VB P-Channel MOSFET 以其高可靠性、优异的电气特性和广泛的应用领域成为市场上的优选产品。其低 RDS(on) 和出色的热性能使其非常适合用于高功率转换器和电机驱动等应用。强烈推荐该产品用于需要高效能和环保设计的场合。
    通过以上的详细介绍,我们相信 J221-VB 会在未来的电子设计项目中发挥重要作用,并为客户提供最佳的解决方案。

J221-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@10V,210mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 16A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J221-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J221-VB数据手册

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J221-VB封装设计

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