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FDPF5N50NZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: FDPF5N50NZ-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF5N50NZ-VB

FDPF5N50NZ-VB概述

    FDPF5N50NZ Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDPF5N50NZ 是一款 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于多种高效率转换场合。其具备低栅极电荷、低导通电阻及高雪崩耐受能力,适用于电信电源、服务器电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电(HID)灯和荧光灯照明系统。此外,它还在工业控制领域得到广泛应用。

    技术参数


    FDPF5N50NZ 的技术规格和性能参数如下:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 1.0 Ω(@25℃, VGS=10V)
    - 最大持续漏极电流 \( ID \): 15 A(@TJ = 150 °C)
    - 栅源电容 \( C{iss} \): 1400 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 10 nC(@VGS=10V, ID=4A)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 97 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 100 W
    - 工作温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低损耗:低导通电阻和低栅极电荷使得导通和切换损失最小化,有助于提高系统的整体能效。
    2. 高可靠性:具有超低门限电压和出色的雪崩耐受能力,适合苛刻的应用环境。
    3. 快速开关:由于输入电容较低,开关速度更快,降低了能耗和发热。
    4. 温度稳定:正温度系数使 MOSFET 在高温环境下保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源:在高密度计算环境中,FDPF5N50NZ 可以显著减少电力消耗并提高系统稳定性。
    2. 开关电源(SMPS):在高频率应用中,能够降低输出纹波和电磁干扰。
    3. 照明系统:例如 HID 灯和荧光灯,在高频驱动时可提高灯具寿命并减少能耗。
    4. 工业设备:适合用于高压直流电机驱动和其他工业自动化设备。
    使用建议:
    - 高温应用时,注意散热设计,确保热阻低。
    - 调整栅极电阻 \( Rg \),以优化开关时间和能耗。
    - 考虑外部电路保护,如二极管钳位电路,以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    FDPF5N50NZ 与其他高压 MOSFET 有着良好的兼容性,易于替换现有器件。制造商提供详细的技术文档和支持,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护不足:增加散热器或改进 PCB 设计,提高散热效率。
    2. 开关速度慢:优化栅极电阻 \( Rg \),以加快开关速度。
    3. 振荡现象:添加适当容量的栅极旁路电容,抑制振荡。

    总结和推荐


    FDPF5N50NZ 功率 MOSFET 综合了低损耗、高可靠性和快速开关的优势,适用于多种高效率应用场合。尽管成本可能略高于普通 MOSFET,但其优越的性能和稳定性使其成为值得推荐的选择。对于需要高效能、可靠性和紧凑尺寸的设计来说,这款器件无疑是一个理想选择。

FDPF5N50NZ-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDPF5N50NZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF5N50NZ-VB数据手册

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FDPF5N50NZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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