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F7306Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: F7306Q-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F7306Q-VB

F7306Q-VB概述

    # F7306Q Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    F7306Q 是一款高性能的双沟道 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),具有低导通电阻和高可靠性等特点。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术,能够在宽温度范围内稳定运行。F7306Q 主要应用于负载开关、电源管理和电机控制等领域,是现代电子系统中理想的开关解决方案。
    主要特点
    - 卤素无残留:符合环保要求。
    - 高效率:支持低导通电阻设计。
    - 高可靠性测试:100% UIS 测试确保产品质量。

    2. 技术参数


    以下是 F7306Q 的核心技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 -30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) 1.0 至 3.0 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.029 0.04 | Ω |
    | 漏极连续电流 | ID -7.3 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM -32 | A |
    | 最大功耗 | PD 5.0 | W |

    3. 产品特点和优势


    F7306Q 在设计上具备多项显著优势:
    - 低导通电阻:典型值仅为 0.029 Ω @ VGS = -10 V,能够有效降低功耗并提升系统效率。
    - 高热稳定性:最大结壳热阻为 25°C/W,在高温环境下仍能保持良好的性能。
    - 环保材料:采用无卤素封装技术,适合绿色电子产品设计。

    4. 应用案例和使用建议


    F7306Q 广泛应用于多种电子系统中,包括负载开关、电池保护电路等。以下是几个典型应用场景及优化建议:
    - 负载开关:利用其快速响应特性实现高效能负载切换,建议配合小型散热片以提高长期运行稳定性。
    - 电机驱动:通过减少导通电阻来优化电机运行效率,同时需注意散热管理避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    F7306Q 与主流 PCB 板材兼容良好,可轻松集成到现有设计中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册下载链接 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com),以及专业的客户服务热线 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关速度慢 | 确保驱动电压高于阈值电压,检查布线质量 |
    | 温度过高 | 安装适当尺寸的散热片,优化电路布局 |
    | 阈值电压异常 | 更换损坏的 MOSFET,重新校准测试设备 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,F7306Q 是一款高性能且易用的 P 沟道 MOSFET,特别适合需要高可靠性和环保特性的应用场景。推荐用于需要快速开关响应、低损耗和长寿命的设计项目中。如果您正在寻找一款性价比高的电子元器件,F7306Q 绝对值得考虑!了解更多详情,请访问官方网站或联系客服获取支持。

F7306Q-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

F7306Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F7306Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F7306Q-VB F7306Q-VB数据手册

F7306Q-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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