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K4111-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K4111-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4111-VB

K4111-VB概述

    # K4111-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K4111-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备出色的开关特性和低导通电阻。它广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业设备等领域。

    技术参数


    - 最高漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏电流 (ID): 100A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 150A
    - 最大耗散功率 (PD): 150W
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 63°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.6°C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 87mJ
    - 输入电容 (Ciss): 1000pF
    - 输出电容 (Coss): 35pF
    - 反向传输电容 (Crss): 10pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 20nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 10nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 5nC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 具有较低的导通电阻,可降低电路中的损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少了开关过程中的能量损失,提高了整体效率。
    - 高雪崩能量 (EAS): 优秀的雪崩耐受能力,确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 宽工作温度范围: 可以在广泛的温度范围内稳定运行,适应多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K4111-VB 在服务器和电信电源供应系统中得到了广泛应用。例如,在服务器电源系统中,它可以有效提升电源转换效率,减少功耗,提高系统的整体稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计: 由于器件的最大耗散功率较高,必须设计良好的散热系统,确保其在高温条件下仍能稳定工作。
    2. 驱动电路: 建议采用具有较低栅极电阻 (Rg) 的驱动电路,以加快开关速度并进一步降低损耗。
    3. 电路布局: 注意电路板上的走线布局,尽量减小寄生电感的影响,提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K4111-VB 可以与各种标准电源管理系统兼容,适用于多种电路设计。
    - 技术支持: 台湾 VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、应用笔记和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 确保良好的散热设计,检查散热片和散热器是否安装正确。 |
    | 驱动电压不稳定 | 检查驱动电路,确保驱动电压稳定且符合器件要求。 |
    | 器件损坏 | 确认是否超出了绝对最大额定值,如电压和电流限制。 |

    总结和推荐


    综上所述,K4111-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电力电子应用。它的低导通电阻和低栅极电荷使其成为电源转换领域的理想选择。同时,台湾 VBsemi 提供的优质技术支持也为其增色不少。对于需要高效率、高可靠性的电力电子系统而言,K4111-VB 是一个值得推荐的产品。

K4111-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4111-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4111-VB数据手册

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K4111-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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