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K26622-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K26622-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K26622-VB

K26622-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档提供了 VBsemi 的一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的技术手册。此款 MOSFET 是一种高效能的电子元件,主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域。它特别适用于高强光放电灯(HID)和荧光灯整流电路。此外,这款 MOSFET 在工业应用中也表现出色,可有效减少开关损耗和传导损耗,适用于需要高效率和可靠性的场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | @ 10 V, 150 °C | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 97 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 140 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 +150 °C | °C |
    规格(TJ = 25 °C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 2.5 | - | 5 | V |
    | 漏源通态电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 4 A | - | 1.0 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V | - | 16 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | - | nC |
    | 栅极驱动电阻 | Rg | f = 1 MHz, open drain | - | 3.5 | Ω |

    产品特点和优势


    此款 MOSFET 拥有多项显著优势:
    - 低栅极输入电容 (Ciss),减少高频应用中的开关损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg),实现快速开关,提高工作效率。
    - 优化的导通电阻 (RDS(on)),降低传导损耗。
    - 高可靠性,具备良好的重复脉冲能力。
    - 能承受高雪崩能量 (EAS),适用于严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:用于电源系统的直流到直流转换,提高电源效率。
    - 照明:适用于 HID 和荧光灯系统,保证稳定的输出电流和电压。
    - 工业设备:用于高电流应用中的电机控制,确保高效、可靠的电力管理。
    使用建议
    - 为了最大限度地发挥其性能,应遵循制造商的建议进行正确的电路设计和布局。
    - 注意栅极驱动电阻 (Rg) 的选择,以避免过高的栅极电压导致 MOSFET 损坏。
    - 在高频应用中,应考虑布局寄生电感和电容的影响,以减少噪声和干扰。

    兼容性和支持


    - 该 MOSFET 与大多数标准的电源管理系统兼容。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过高的栅极电压?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动电阻 (Rg),并使用专用的栅极驱动器芯片。
    2. 如何提高散热效率?
    - 解决方案:使用大面积散热片,并确保良好的热接触。
    3. 如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:根据具体应用的需求选择合适的 VGS,通常为 10V 或 5V(对于逻辑电平器件)。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi 的这款 N 沟道功率 MOSFET 在性能、可靠性和适用性方面表现优异,特别适合需要高效率和可靠性的各种应用场景。无论是服务器电源、电信设备还是工业控制系统,这款 MOSFET 都是理想的选择。我们强烈推荐这款 MOSFET 给需要高性能电源管理解决方案的客户。

K26622-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K26622-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K26622-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K26622-VB K26622-VB数据手册

K26622-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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