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UFZ44G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: UFZ44G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UFZ44G-TA3-T-VB

UFZ44G-TA3-T-VB概述

    UFZ44G-TA3-T N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UFZ44G-TA3-T 是一款由台湾 VBsemi Electronics 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于开关电源、电机驱动、逆变器、照明系统等领域。UFZ44G-TA3-T 具有高效率、快速开关速度和逻辑电平门驱动等特点,能够满足多种应用场景的需求。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 50 A (25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 150 W (25°C)
    - 温度相关参数
    - 线性降额因子: 1.0 W/°C
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 62 °C/W
    - 最大结到环境热阻(PCB安装): 40 °C/W
    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压 \( V{DS} \): 60 V ( \( V{GS} \) = 0, \( ID \) = 250 μA)
    - 栅极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 - 2.5 V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 μA ( \( V{DS} \) = 60 V, \( V{GS} \) = 0 V)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 190 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 未提供
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 未提供
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 66 nC
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 62 °C/W
    - 结到外壳(漏极)热阻 \( R{thJC} \): 1.0 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合 IEC 61249-2-21 标准
    - 表面贴装: 便于自动化生产
    - 快速开关: 适用于需要高频操作的应用
    - 低栅极电荷: 有助于降低功耗和提高能效
    - 逻辑电平门驱动: 适合低压控制电路

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: 在高频率下工作,减少开关损耗,提高能效。
    - 电机驱动: 快速开关特性使得驱动电机更加平稳。
    - 逆变器: 适合高功率逆变器应用,如太阳能逆变器。
    - LED驱动: 高效率和快速响应能力使其成为 LED 驱动的理想选择。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用符合规范的 PCB 设计,降低寄生电感,提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与多种标准电路板和组件兼容。
    - 支持: 厂商提供技术支持,包括产品文档、设计指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极-源极电压 \( V{DS} \) 超出额定范围
    - 解决办法: 检查输入电压并调整控制电路,确保 \( V{DS} \) 不超过 60 V。

    - 问题: 功率耗散过高导致过热
    - 解决办法: 使用外部散热器并优化电路布局,确保良好的散热。

    7. 总结和推荐


    UFZ44G-TA3-T N-Channel MOSFET 在开关电源和电机驱动等应用中表现出色,具有高效率、快速开关速度和逻辑电平门驱动的优势。它不仅在技术参数上具备竞争力,还在无卤素和表面贴装等方面具有明显优势。因此,对于需要高效和可靠电子元器件的应用,我们强烈推荐使用 UFZ44G-TA3-T。

UFZ44G-TA3-T-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UFZ44G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UFZ44G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UFZ44G-TA3-T-VB UFZ44G-TA3-T-VB数据手册

UFZ44G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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