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WFP740-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: WFP740-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP740-VB

WFP740-VB概述

    # 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本产品为VBsemi公司的N-Channel MOSFET(WFP740),是专为高效率电力转换设计的功率金属氧化物半导体场效应晶体管。它具备低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)的特点,使其适用于各种高频率、高效率的电力转换场景。主要应用领域包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统中的高强度放电灯(HID)和荧光灯。此外,它还广泛应用于工业控制领域。

    技术参数


    以下是WFP740的详细技术参数:
    - 最高漏源电压(VDS): 650V
    - 最大持续漏电流(ID):
    - TC = 25°C 时:7A
    - TC = 100°C 时:4A
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 重复评级,受最大结温限制
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 186mJ
    - 最大功耗(PD): 150W
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境:63°C/W
    - 最大结到外壳(漏极):0.6°C/W
    - 输入电容(Ciss): 最大值为1471pF
    - 输出电容(Coss): 未指定
    - 反向传输电容(Crss): 未指定
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为21nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 最大值为9nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 最大值为5nC
    - 阈值电压(VGS(th)): 2V到4V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS): 在600V时为1μA
    - 静态导通电阻(RDS(on)): 在10V时的最大值为0.5Ω
    - 关断延迟时间(td(off)): 未指定
    - 反向恢复时间(trr): 最大值为190ns

    产品特点和优势


    WFP740具备多项显著特点,具体如下:
    - 低栅极电荷(Qg) 和 低输入电容(Ciss),可以显著减少开关损耗,提升电路的效率。
    - 超低导通电阻(RDS(on)),确保在高频开关应用中具有较低的传导损耗。
    - 重复脉冲雪崩能量额定值(UIS),在高动态负载下也能保持稳定运行。
    - 宽工作温度范围(-55°C 到 +150°C),使得该产品能够在恶劣环境中可靠工作。
    这些特点使其成为高效率电力转换系统的理想选择,特别是在高频率、高温环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WFP740已经在多种应用场景中得到验证,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)等。例如,在服务器电源供应系统中,该器件通过其高效的功率转换能力,确保了电源供应的稳定性和可靠性。
    使用建议
    1. 散热管理:由于WFP740的工作电流较大,建议采用有效的散热措施,如散热片或风扇,以确保结温保持在安全范围内。
    2. 布局设计:PCB布局时应注意减小杂散电感,确保接地平面设计合理,以提高电路的整体性能。
    3. 驱动电路:使用专门设计的驱动电路以满足特定应用需求,特别是针对高频操作时,应尽量减少驱动信号的延迟和失真。

    兼容性和支持


    WFP740的封装形式为TO-220AB,能够方便地安装在标准散热器上。关于其他兼容性问题,建议参考官方文档或联系VBsemi公司获得进一步的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 确保所有连接正确无误,检查是否存在短路。 |
    | 导通电阻异常大 | 检查是否达到最大允许工作温度,适当调整散热措施。 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路设计,降低杂散电感的影响。 |

    总结和推荐


    综上所述,WFP740是一款具备高性价比、高可靠性的N-Channel MOSFET,特别适合需要高效率电力转换的应用场合。其在高动态负载下的稳定表现以及广泛的适用温度范围使其在各类电力转换应用中具有很强的竞争力。建议在相关电力转换系统的设计中优先考虑选用WFP740。

WFP740-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP740-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP740-VB数据手册

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WFP740-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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