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UT45N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251\n适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: UT45N03L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT45N03L-VB

UT45N03L-VB概述

    UT45N03L N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT45N03L 是一款高性能的N沟道30V (D-S)功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®第三代技术。该产品广泛应用于DC/DC转换、系统电源等领域,具有出色的开关性能和可靠性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | - | - | - | 30 | V |
    | 源漏电流 (ID) | @ VGS=10V | - | 50 | A |
    | 源漏电流 (ID) | @ VGS=4.5V | - | 45 | A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | @ VGS=10V | - | 7 | mΩ |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | @ VGS=4.5V | - | 9 | mΩ |
    | 总栅极电荷 (Qg) | @ VDS=15V, VGS=10V, ID=10A | - | 33 | nC |
    | 总栅极电荷 (Qg) | @ VDS=15V, VGS=4.5V, ID=10A | - | 18 | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | @ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1700 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | - | - | 200 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | - | - | 150 | pF |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | @ VDS=VGS, ID=250µA | 1.2 | 3.0 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合RoHS标准,不含卤素,环保友好。
    - 高可靠性:100%进行Rg测试和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻:RDS(on)低至7mΩ(@ VGS=10V),适用于高效电源转换。
    - 快速开关:优秀的动态特性,适合高频应用。
    - 耐高温:工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换:例如笔记本电脑的电源管理电路。
    - 系统电源:用于通信设备、工业控制系统的电源模块。
    使用建议:
    - 在设计时需考虑散热,避免因过热导致的性能下降。
    - 确保驱动电压在推荐范围内,以充分发挥其低导通电阻的优势。
    - 使用合适的PCB布局和去耦电容,减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET可与其他标准引脚封装的MOSFET兼容,便于替换升级。
    - 支持表面贴装技术(SMT),易于集成到现有的PCB设计中。
    支持:
    - 客户可联系厂商的服务热线400-655-8788获取技术支持。
    - 厂商提供详细的文档和技术支持服务,帮助用户更好地理解和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整驱动电压和频率,增加散热措施 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量和引脚接触情况,确认没有短路现象 |
    | 性能不达标 | 检查输入条件是否符合规范,重新验证参数 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    - UT45N03L是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,具备优异的开关特性和可靠的性能。
    - 适用于多种高压DC/DC转换和系统电源的应用场景。
    - 环保设计和高可靠性使其成为现代电子设备的理想选择。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高效率、快速响应和可靠性的应用中使用UT45N03L。其出色的性能和广泛的适用性使其成为市场的优选之一。

UT45N03L-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT45N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT45N03L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT45N03L-VB UT45N03L-VB数据手册

UT45N03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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