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IPB60R165CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IPB60R165CP-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB60R165CP-VB

IPB60R165CP-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    IPB60R165CP 是一款由VBsemi公司生产的N沟道超结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它专为电信、照明、消费电子、工业、可再生能源和开关模式电源供应器等领域设计。这些领域的高功率需求和对效率、热管理的要求,使得IPB60R165CP成为关键选择之一。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大值为650V,在最高结温时为650V。
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):在25℃时为0.19Ω,典型值为10V时的0.19Ω。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为106nC,典型值为71nC。
    - 栅源电荷 (Qgs):典型值为14nC。
    - 栅漏电荷 (Qgd):典型值为33nC。
    - 连续漏极电流 (ID):在25℃和100℃下分别为20A和13A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):60A。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):367mJ。
    - 最大功耗 (PD):208W。
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55℃到+150℃。
    - 结温系数 (ΔVDS/TJ):参考25℃,1mA时为-0.67V/℃。
    - 反向恢复时间 (trr):典型值为160ns。
    - 反向恢复电荷 (Qrr):典型值为1.2μC。
    - 反向恢复峰值电流 (IRRM):典型值为14A。


    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):71nC 的典型值有助于降低开关损耗。
    - 低输出电容 (Coss):低输入电容 (Ciss) 和低反向传输电容 (Crss) 进一步减少开关损耗。
    - 快速恢复时间 (trr, Qrr, IRRM):提高系统的可靠性和效率。
    - 高雪崩能量 (UIS):确保在极端条件下仍能稳定工作。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):保证低导通损耗,提高系统整体效率。

    应用案例和使用建议


    IPB60R165CP 可应用于多种场景:
    - 电信和服务器电源供应:适合高功率要求且需要低损耗的应用。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯和荧光灯泡等。
    - 消费电子和计算:适合ATX电源供应,能够提供高效的能量转换。
    - 工业应用:如焊接和电池充电器,需要高效能的电力控制。
    - 可再生能源:例如太阳能光伏逆变器,提供稳定的电力转换。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热设计充分,避免过热。
    - 对于高速开关应用,注意降低杂散电感以减少开关瞬态影响。
    - 定期检查应用环境的温度,确保不会超过器件的最大温度限制。

    兼容性和支持


    IPB60R165CP 可以与常见的电路设计和设备兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持,包括应用指南、设计支持和售后维护服务。如果有任何问题,可以通过服务热线 400-655-8788 联系公司获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否足够,考虑增加散热片或风扇。
    - 问题:开关损耗高
    - 解决方案:确认电路布局合理,减少杂散电感和杂散电容的影响。
    - 问题:反向恢复电流过大
    - 解决方案:使用具有较低反向恢复特性的肖特基二极管,优化驱动电路的设计。

    总结和推荐


    IPB60R165CP 凭借其高可靠性、低损耗和宽适用范围,成为高性能电子设备中的理想选择。无论是从性能还是从应用灵活性来看,该产品都值得推荐使用。尤其适合需要高效能电力转换和控制的应用场合,可显著提升系统的整体性能和效率。

IPB60R165CP-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB60R165CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB60R165CP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB60R165CP-VB IPB60R165CP-VB数据手册

IPB60R165CP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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