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KHB7D0N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KHB7D0N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB7D0N65F-VB

KHB7D0N65F-VB概述

    KHB7D0N65F 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB7D0N65F 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度,适用于多种电力转换和控制应用,包括服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)和工业用途。它的设计旨在减少开关和传导损耗,提高效率并降低能耗。

    2. 技术参数


    KHB7D0N65F 的主要技术规格如下:
    - 额定电压 (VDS): 650 V
    - 最大漏极电流 (ID): 10 A(在 25 °C 时)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 220 A
    - 最大功率耗散 (PD): 100 W
    - 热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.5 V 至 5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大 1.0 Ω(在 25 °C 和 10 V 时)
    - 栅源电荷 (Qgs): 11.4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 14.8 nC
    - 总栅电荷 (Qg): 31.4 nC

    3. 产品特点和优势


    KHB7D0N65F 具有多项独特功能和优势:
    - 低损耗:其低导通电阻和栅电荷确保了极低的开关和传导损耗,提高了整体能效。
    - 快速响应:低输入电容(Ciss)和超低栅电荷(Qg)使得开关速度快,适应高频率操作。
    - 可靠性:其额定雪崩能量(UIS)保证了其在恶劣条件下工作的可靠性和耐用性。
    - 灵活性:广泛的应用范围使其成为多种电力转换和控制应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB7D0N65F 广泛应用于服务器和电信电源、SMPS、PFC 和照明等领域。例如,在 SMPS 中,其快速开关特性和低损耗有助于提高电源转换效率。为了进一步优化性能,建议:
    - 使用低电感 PCB 布局:减少寄生电感,提高效率和可靠性。
    - 采用良好的接地设计:提供稳定的接地平面,减少噪声干扰。
    - 适当的热管理:确保良好的散热以避免过热和热应力。

    5. 兼容性和支持


    KHB7D0N65F 可以与大多数标准的驱动电路兼容。VBsemi 公司提供全面的技术支持和维护服务,包括技术咨询、应用指南和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题:开关过程中出现异常发热。
    解决方法:检查 PCB 布局是否合理,特别是要减少寄生电感;确保散热系统有效工作。

    - 问题:开关时间不一致。
    解决方法:检查栅极电阻是否合适,适当调整栅极电阻以优化开关时间。

    - 问题:栅极振荡。
    解决方法:增加栅极电阻或使用RC滤波器来抑制振荡。

    7. 总结和推荐


    KHB7D0N65F 功率 MOSFET 是一款集高性能、高效能和高可靠性于一体的电子元件。它不仅具备出色的电气特性,而且在多种应用环境中表现优异。对于需要高效电力转换和控制的系统,强烈推荐使用 KHB7D0N65F。通过合理的设计和布局,可以充分发挥其性能潜力,确保系统稳定运行。

KHB7D0N65F-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB7D0N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB7D0N65F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB7D0N65F-VB KHB7D0N65F-VB数据手册

KHB7D0N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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