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HFS5N50S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: HFS5N50S-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS5N50S-VB

HFS5N50S-VB概述


    产品简介


    HFS5N50S 功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    HFS5N50S 是一款高性能功率MOSFET,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及各种照明和工业设备中。此款MOSFET采用了先进的设计技术,以实现低导通电阻和低输入电容等特性,从而减少切换和导通损耗。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 (VDS) | 650 | V |
    | 最大连续漏极电流 (TJ=150°C) | 1.6 mm | A |
    | 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)) | 1Ω | VGS=10 V |
    | 有效栅极电荷 (Qg) | 100 | nC |
    | 栅极-源极电荷 (Qgs) | 9.6 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 (Qgd) | 14.4 | nC |
    | 额定单脉冲雪崩能量 (EAS) | 860 | mJ |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 1Ω @ VGS = 10 V,可显著降低能耗。
    - 低输入电容:Ciss = 9.6 nC,减少栅极驱动损耗。
    - 高可靠性:EAS = 860 mJ,具有出色的雪崩耐受能力。
    - 适用于多种应用:包括服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源等,以及工业和照明应用。

    应用案例和使用建议


    HFS5N50S 功率MOSFET 已成功应用于多种场合,例如:
    - 服务器和电信电源:在这些应用中,MOSFET 的高可靠性确保了系统的稳定运行。
    - 照明系统:特别适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
    使用建议:
    - 在进行应用设计时,需确保散热管理到位,特别是在高电流应用中。
    - 使用合适的驱动电路来优化MOSFET的性能和寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HFS5N50S 支持标准TO-220封装,易于安装和更换。
    - 厂商支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的数据表、技术文档和样品服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致MOSFET损坏 | 确保良好的散热机制,使用散热片或风扇 |
    | 导通电阻异常高 | 检查驱动电压是否在规定范围内 |
    | 开关时间过长 | 调整驱动电阻 (Rg) 以加快开关速度 |

    总结和推荐


    综合评估
    HFS5N50S 功率MOSFET 展现了优异的性能,具备低导通电阻、低输入电容和高可靠性等特点,非常适合在各类高要求的应用中使用。其广泛的应用范围使其成为众多工程师的理想选择。
    推荐
    强烈推荐 HFS5N50S 功率MOSFET 用于需要高效能和高可靠性的应用。对于追求低功耗和高效率的设计项目,这款MOSFET无疑是最佳选择。

HFS5N50S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFS5N50S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS5N50S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFS5N50S-VB HFS5N50S-VB数据手册

HFS5N50S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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