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NP90N055PDH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: NP90N055PDH-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP90N055PDH-VB

NP90N055PDH-VB概述

    NP90N055PDH MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NP90N055PDH 是一种由 VBsemi 生产的N沟道60V(D-S)MOSFET功率晶体管。该器件具有高性能TrenchFET® 功率MOSFET结构,专为高效开关应用而设计。它广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域,以其低导通电阻和高电流处理能力著称。

    2. 技术参数


    - 电压规格
    - 漏极-源极电压 (VDS):60V
    - 门极-源极电压 (VGS):±20V
    - 电流规格
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C):120A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):350A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):65A
    - 热特性
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C):220W
    - 热阻抗 (Junction-to-Ambient):40°C/W
    - 环境温度
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高性能TrenchFET® 技术:保证了卓越的导通特性和低功耗。
    - 低热阻封装:有效提升散热性能,适用于高频和大电流的应用。
    - 可靠性测试:100% Rg 和UIS 测试确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C 到 +175°C,适应各种极端环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:用于高效率的DC-DC转换器和电源开关,减少能量损失,提高系统效率。
    - 电机驱动:适合于电动机控制应用,提供快速的开关响应和低损耗。
    - 工业控制:可应用于工业自动化设备中的驱动和保护电路。
    使用建议:
    - 确保安装在足够大的散热片上以避免过热。
    - 使用门极电阻来优化开关速度和减少开关损耗。
    - 在大电流应用中,确保适当的PCB布局以优化散热。

    5. 兼容性和支持


    NP90N055PDH 支持与标准的TO-263 (D2PAK) 封装兼容,方便集成到现有的设计中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术咨询服务,帮助客户顺利完成产品集成和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的栅极电压会损坏器件?
    - 解决方案:始终将VGS保持在额定范围内(±20V),使用适当的门极电阻进行保护。
    - 问题:过高的连续电流会导致器件失效?
    - 解决方案:确保最大连续漏极电流不超过120A,并通过外部散热措施降低热应力。
    - 问题:器件过热如何解决?
    - 解决方案:采用更大的散热片或更好的PCB布局来增加散热效果,必要时可以考虑使用辅助冷却装置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NP90N055PDH 是一款出色的N沟道MOSFET,特别适用于需要高效率、高可靠性的电源管理和电机驱动应用。其高可靠性、广泛的温度范围和易于集成的特点使其成为设计师的理想选择。强烈推荐使用此产品以实现最佳的系统性能。
    联系方式:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com
    通过详细的技术参数、广泛的应用案例及有效的技术支持,NP90N055PDH 展现出了其在电子元器件市场的强大竞争力。

NP90N055PDH-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 150A
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP90N055PDH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP90N055PDH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP90N055PDH-VB NP90N055PDH-VB数据手册

NP90N055PDH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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