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9973GI-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: 9973GI-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9973GI-VB

9973GI-VB概述

    高质量文章:N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 60V (D-S) MOSFET(型号:9973GI-VB) 是一款高性能的功率半导体器件,属于 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它具有高电压隔离能力、卓越的热阻特性和紧凑的设计结构,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动和通信设备等领域。
    主要功能包括:
    - 实现高效的开关控制;
    - 支持高频率切换操作;
    - 能够承受高瞬态电流和电压。
    典型应用场景涵盖工业自动化、电动汽车充电桩、新能源发电系统及消费电子设备。

    2. 技术参数


    以下是 9973GI-VB 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 漏极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.027 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 95 | nC |
    | 峰值二极管恢复电压 | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |
    此外,该器件还具备出色的动态性能和散热设计,确保其在恶劣工作环境下依然可靠运行。

    3. 产品特点和优势


    9973GI-VB 的主要优势包括:
    1. 高电压隔离能力:额定隔离电压达 2.5 kVRMS(持续时间 60 秒),适用于需要严格绝缘的高压应用场合。
    2. 低热阻特性:通过优化封装设计,最大结壳热阻为 3.1°C/W,有助于快速散热并延长使用寿命。
    3. 宽温区适应性:工作温度范围宽至 -55°C 至 +175°C,满足极端环境需求。
    4. 环保合规:无铅封装,符合 RoHS 和 halogen-free 标准,符合国际环保要求。
    5. 卓越的动态性能:快速开关时间和低栅极电荷,显著降低功耗并提高效率。
    这些特点使该器件在市场上具有强大的竞争力,尤其适合对可靠性、效率和环境友好度要求较高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关电源中作为主控开关管,用于降压转换;
    - 在光伏逆变器中实现高效能量转换;
    - 驱动小型直流电机或步进电机。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,应合理选择驱动电阻(如推荐值 RG = 9.1 Ω),以优化开关速度和平稳性。
    2. 确保 PCB 设计满足低杂散电感的要求,避免高频信号干扰。
    3. 使用热管或散热片加强散热效果,特别是在满载工作条件下。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他标准 TO-220 封装器件具有良好的兼容性,便于直接替换升级。同时,厂商提供全面的技术支持,包括产品选型指导、样片申请以及售后问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少栅极电容或增加驱动电阻值。 |
    | 散热不良导致过热 | 添加散热片或采用更大尺寸的器件。 |
    | 阈值电压偏高导致难以开启 | 确保输入电压高于 VGS(th) 额定值。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,9973GI-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 在技术参数、性能表现和市场定位方面表现出色,是一款值得信赖的产品。无论是从耐久性、效率还是经济性角度考虑,都值得推荐给需要高效能半导体器件的应用开发者。对于希望提升系统整体性能的用户,这款器件无疑是一个理想的选择。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

9973GI-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9973GI-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9973GI-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9973GI-VB 9973GI-VB数据手册

9973GI-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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