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J243-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-0.4A,RDS(ON),450mΩ@10V,540mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.45Vth(V) 封装:SC75-3
供应商型号: J243-VB SC75-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J243-VB

J243-VB概述

    J243-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J243-VB 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道 20V(D-S)功率 MOSFET。该产品采用了先进的 TrenchFET® 技术,具备出色的开关速度和高可靠性。J243-VB 主要用于便携式设备的负载/电源开关,继电器和电磁铁驱动,以及电池驱动系统中。它的多功能性使其在各种电子设备中得到了广泛应用。

    2. 技术参数


    - 耐压能力:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 最大漏极电流 \( ID \): -0.4 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -1.6 A
    - 最大源漏体二极管正向电流 \( I{SM} \): -1.5 A
    - 零门极电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1 A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10 V \): 0.450 Ω
    - \( V{GS} = -4.5 V \): 0.500 Ω
    - \( V{GS} = -2.5 V \): 0.600 Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 45 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): -15 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): -10 pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 9 - 18 ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \): 10 - 20 ns
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 440 - 530 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关速度:得益于 TrenchFET® 技术,J243-VB 具备非常快的开关速度,适用于需要高效率的应用场景。
    - 高可靠性:经过 100% 的可靠测试,确保在极端条件下也能稳定运行。
    - 低导通电阻:在不同栅极电压下,具有较低的导通电阻,可有效减少功耗并提高效率。
    - 宽工作温度范围:可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作,适应性强。

    4. 应用案例和使用建议


    - 便携式设备负载/电源开关:在移动电源管理系统中,J243-VB 可用于控制电池供电设备的充电和放电过程。
    - 继电器和电磁铁驱动:适用于需要驱动继电器和电磁铁的场合,能够提供稳定的电流输出。
    - 电池驱动系统:适合于需要高效电源管理的电池驱动设备,如笔记本电脑和手机。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时充分考虑热管理措施,特别是在高电流应用中。
    - 使用合适的栅极驱动器以确保快速且稳定的开关性能。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免因过热导致设备损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:J243-VB 适用于标准的 SMD 焊接工艺,可以轻松集成到现有的电路板中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,如有任何疑问或技术支持需求,可通过服务热线 400-655-8788 联系。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何选择合适的栅极驱动器?
    - 解决方案:选择具有足够驱动能力的栅极驱动器,以确保 MOSFET 的快速开关。根据技术手册中的推荐值进行选择。

    - 问题二:在高温环境下使用时如何进行散热设计?
    - 解决方案:使用散热片或其他冷却方法来降低 MOSFET 的工作温度,避免因过热而导致性能下降或损坏。

    - 问题三:如何测试 MOSFET 的导通电阻?
    - 解决方案:使用专用的测量仪器,如万用表,在不同的栅极电压下测试导通电阻,确保其符合规格要求。

    7. 总结和推荐


    J243-VB 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,特别适用于便携式设备、继电器和电磁铁驱动以及电池驱动系统。凭借其出色的快速开关性能、低导通电阻和广泛的温度适用范围,它在多种应用场景中表现出色。推荐在需要高效电源管理和快速开关性能的电子设备中使用。

J243-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 400mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@10V,540mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SC-75-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J243-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J243-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J243-VB J243-VB数据手册

J243-VB封装设计

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