处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF2807ZSTRR-VB

IRF2807ZSTRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IRF2807ZSTRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF2807ZSTRR-VB

IRF2807ZSTRR-VB概述


    产品简介


    IRF2807ZSTRR-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,具有多种高级特性,适用于广泛的电力转换和控制应用。此款器件通过ThunderFET®技术实现了高效能与高可靠性,特别适合于开关电源、电机驱动和其他需要高性能电子开关的应用场合。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 最大结温:175°C
    - 耐压能力:80V
    - 栅极电荷(总):最小值为53.5nC,典型值为81nC
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V时,典型值为6mΩ;VGS = 4.5V时,典型值为10mΩ
    - 连续漏极电流:最高可达120A
    - 脉冲漏极电流:最高可达225A(100μs)
    - 雪崩击穿电流:最大值为50A
    - 单次雪崩能量:125mJ
    - 最大耗散功率:在25°C时为370W;在125°C时为120W
    - 热阻抗:结至环境(PCB安装)为40°C/W;结至外壳(漏极)为0.75°C/W
    - 工作温度范围:结温和存储温度为-55°C到+175°C
    - 静电放电敏感度:
    - 栅源电压极限:±20V
    - 输入电容:3330pF
    - 输出电容:1395pF
    - 反向传输电容:95pF

    产品特点和优势


    IRF2807ZSTRR-VB具备出色的热稳定性和低导通电阻,使得其在高温环境下也能保持优异的性能。此外,ThunderFET®技术保证了超高的可靠性和耐用性。它还具有较低的栅极电荷,这有助于减少开关损耗,提高整体效率。其广泛的温度适应性和高耐压能力使其非常适合于恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    IRF2807ZSTRR-VB广泛应用于需要高可靠性和高效率的场合,例如电源转换器、直流电机驱动器、焊接机和其他工业自动化设备。在实际使用中,应确保电路设计考虑其高耐压特性和低导通电阻的优点,以充分利用其性能优势。对于需要长时间工作的应用,应注意其散热设计,以避免过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    IRF2807ZSTRR-VB采用TO-263封装,可直接应用于现有的大多数电路板设计中。VBsemi提供了详尽的技术支持和客户咨询服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。同时,公司提供了丰富的文档和参考资料,方便用户进行设计验证和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高负载下使用时,器件会过热吗?
    - A: IRF2807ZSTRR-VB具有较高的耐热性和良好的热稳定性,但建议在高负载情况下增加散热措施,如安装散热片或使用散热良好的电路板材料。

    - Q: 如何判断器件是否损坏?
    - A: 损坏通常表现为不正常的导通电阻增大或完全失效。可以使用万用表检测其RDS(on),如果读数异常,则可能需要更换新的器件。

    总结和推荐


    IRF2807ZSTRR-VB是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的热稳定性,在各种严苛的应用环境中表现出色。它的广泛应用性和强大的技术支持使其成为电力电子设备的理想选择。我们强烈推荐该产品用于对性能要求严格的电力控制和转换应用中。

IRF2807ZSTRR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF2807ZSTRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF2807ZSTRR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF2807ZSTRR-VB IRF2807ZSTRR-VB数据手册

IRF2807ZSTRR-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.3738
100+ ¥ 4.0499
500+ ¥ 3.8879
800+ ¥ 3.7259
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 43.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504