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MLP1N06CL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: MLP1N06CL-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MLP1N06CL-VB

MLP1N06CL-VB概述

    MLP1N06CL N-Channel 650V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    MLP1N06CL 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力电子应用。其最大栅源电压为±30V,工作温度范围宽泛,能够适应广泛的工业和消费电子产品环境。这款MOSFET 具备低栅极电荷(Qg)和快速开关速度,使其成为电源转换、电机驱动和其他高效率应用的理想选择。

    技术参数


    - 最大耐压值(VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流(ID): 1.28A (TC = 25°C),1.2A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 8A
    - 最大功率耗散(PD): 45W (TC = 25°C)
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 165mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR): 2A
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 6mJ
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 总栅极电荷(Qg): 最大11nC
    - 输出电容(Coss): 45pF
    - 有效输出电容(Coss eff.): 随VDS变化
    - 工作环境温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最高瞬态热阻抗(RthJA): 65°C/W
    - 最大结到外壳热阻抗(RthJC): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    MLP1N06CL 的主要特点和优势包括:
    - 低栅极电荷: 仅需简单的驱动要求,降低功耗。
    - 坚固耐用: 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt性能。
    - 全面的电容和雪崩参数: 完全标定的电容和雪崩电压电流。
    - 符合RoHS指令: 符合2002/95/EC指令,环保合规。

    应用案例和使用建议


    MLP1N06CL MOSFET广泛应用于电源转换、逆变器、马达驱动系统等领域。例如,在一个典型的DC-DC转换器设计中,MLP1N06CL可以用于高效率地控制负载。在使用时,确保正确的栅极驱动设计以避免过高的dv/dt导致的损坏。此外,应考虑散热设计,以避免因温度过高而导致性能下降。

    兼容性和支持


    MLP1N06CL MOSFET的设计允许它与其他常见的电子元器件和电路板集成。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括应用笔记和设计指南,帮助客户轻松集成到各类系统中。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高电流下工作时,温度上升太快。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,增加散热片或采用外部冷却方法。
    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查并调整栅极驱动电路,确保稳定的信号源。
    - 问题: 在高压应用中表现不佳。
    - 解决方案: 使用高耐压的辅助电路和外部组件来保护主电路。

    总结和推荐


    MLP1N06CL N-Channel 650V MOSFET是一款高性能的MOSFET,具有优秀的电气特性和广泛的适用性。它的低栅极电荷、高可靠性以及全面的参数标定使得它在电源管理和转换应用中表现出色。对于需要高效、稳定电源转换的应用,MLP1N06CL是理想的选择。建议在设计高效率和可靠性的系统时优先考虑该产品。

MLP1N06CL-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

MLP1N06CL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MLP1N06CL-VB数据手册

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MLP1N06CL-VB封装设计

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