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FZ32-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FZ32-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ32-VB

FZ32-VB概述

    FZ32-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FZ32-VB 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于提供高效的电源管理解决方案。它的主要功能包括高开关速度、低导通电阻以及对逻辑电平驱动的支持。该器件广泛应用于各种领域,如电源转换、电机控制、LED照明系统以及其它需要高效能开关的场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 漏源电压(VDS): 60 V
    - 持续漏极电流(ID): 50 A (在25°C时), 36 A (在100°C时)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 400 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 150 W (在25°C时)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 门源漏电流(IGSS): ±100 nA (在±10 V时)
    - 源漏通态电阻(RDS(on)): 0.024 Ω (在VGS = 10 V时), 0.028 Ω (在VGS = 4.5 V时)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 190 pF
    - 输出电容(Coss): 不适用
    - 反向传输电容(Crss): 不适用
    - 总栅极电荷(Qg): 66 nC (在VGS = 5.0 V时)

    产品特点和优势


    FZ32-VB 的特点使其在多种应用中具有显著的优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 这使得它在电源转换器和其他高效率要求的应用中表现出色。
    - 快速开关能力: 快速的开关时间和低门电荷使得它可以用于高频电路。
    - 逻辑电平驱动: 使其可以直接与数字控制器连接,无需额外的驱动电路。
    - 无卤素: 符合IEC 61249-2-21标准,环保且适用于RoHS要求的产品。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: FZ32-VB 可以作为关键组件在各类电源转换器中提高效率。建议使用适当的散热措施以确保最佳性能。
    - 电机控制: 由于其高开关速度和低电阻,适合于电机控制系统中的快速响应需求。
    - LED照明: 低导通电阻有助于减少损耗,从而延长灯具寿命并提高能效。

    兼容性和支持


    FZ32-VB 可以轻松与现有的电路板设计兼容,并且支持表面贴装工艺,方便自动化生产和装配。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备启动时发热异常。
    - 解决方案: 检查散热片安装是否正确,确保良好的热传导。
    - 问题: 设备关机后无法立即重启。
    - 解决方案: 确保关机时间足够长,以让设备冷却下来。

    总结和推荐


    FZ32-VB 是一款非常出色的 N 沟道 MOSFET,具备卓越的电气特性和广泛的应用范围。它的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合需要高效能的电源管理和控制应用。考虑到其优异的性能和全面的支持,强烈推荐将其用于各种高要求的设计项目中。

FZ32-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FZ32-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ32-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FZ32-VB FZ32-VB数据手册

FZ32-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
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