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FCP4N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 14M-FCP4N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCP4N60-VB

FCP4N60-VB概述


    产品简介


    FCP4N60-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于开关模式电源供应系统(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速电力转换应用。其核心优势在于低门极电荷(Qg),这使得驱动要求简单,并具有改进的门极、雪崩及动态dV/dt耐受能力。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 600 V
    - 门源电压(VGS): ±30 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 在10V VGS时为0.780 Ω
    - 最大总门极电荷(Qg): 49 nC
    - 门源电荷(Qgs): 13 nC
    - 门漏电荷(Qgd): 20 nC
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在25°C时:8.0 A
    - 在100°C时:5.8 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 37 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 8.0 A
    - 重复雪崩能量(EAR): 17 mJ
    - 最大功耗(PD): 170 W
    - 雪崩电压(VDS): 600 V

    产品特点和优势


    FCP4N60-VB 主要特点包括:
    - 低门极电荷Qg,简化驱动需求
    - 改进的门极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
    - 完全表征的电容值和雪崩电压、电流
    - 最大工作温度范围可达150°C
    这些特性使其在各种恶劣环境中依然能够稳定运行,特别适用于工业级应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关模式电源(SMPS)
    - FCP4N60-VB 可以用于高效率的直流-直流转换,提供稳定的输出电压。

    2. 不间断电源(UPS)
    - 由于其优良的耐高温特性和坚固性,FCP4N60-VB 可以在紧急情况下确保电源系统的稳定运行。
    使用建议
    1. 散热管理
    - 考虑到该器件的最大功耗为170W,建议采用有效的散热措施,如使用散热片或水冷装置。

    2. 驱动电路设计
    - 由于其低门极电荷Qg,可使用较低电压的驱动器来简化电路设计。

    3. 保护电路
    - 建议在电路中加入保护电路,例如过流保护和短路保护,以确保器件的长期可靠性。

    兼容性和支持


    FCP4N60-VB 可以与其他标准电源模块和电路板无缝对接,无需复杂的适配器。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排查和维修服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下出现性能下降。
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,必要时增加额外散热装置。

    2. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 确保驱动信号的质量和稳定性,检查电路中的电容和电感元件是否符合规范。

    3. 问题: 长时间工作后发热严重。
    - 解决方案: 检查设备的工作状态和散热情况,调整驱动电流和频率以减少发热。

    总结和推荐


    FCP4N60-VB 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,适合在高要求的工业应用中使用。其低门极电荷、高耐受性和良好的温度适应性使它成为一款极具竞争力的产品。强烈推荐在开关电源、不间断电源及其他需要高可靠性电力转换的应用中使用。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

FCP4N60-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FCP4N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCP4N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCP4N60-VB FCP4N60-VB数据手册

FCP4N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 4.2376
30+ ¥ 3.7821
100+ ¥ 2.8339
1000+ ¥ 2.7279
3000+ ¥ 2.6485
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