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J646-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J646-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J646-VB

J646-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(VBsemi J646)是一种高性能的P沟道功率场效应晶体管,适用于多种负载开关和笔记本适配器开关等应用场景。该器件采用TrenchFET®技术,具有卓越的导通电阻和低栅极电荷,能够在高电压和电流条件下稳定运行。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):最大值为30V。
    - 栅源电压 (VGS):最大值为±20V。
    - 连续漏电流 (ID):在25°C时为4.1A,70°C时为2.2A。
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值为112A。
    - 雪崩电流 (IAS):最大值为20A。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):20mJ。
    - 工作环境:
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至150°C。
    - 热阻 (RthJA):最大值为46°C/W,稳态下为25°C/W。
    - 最大功耗 (PD):在25°C时为25W,在70°C时为20W。
    - 其他参数:
    - 阈值电压 (VGS(th)):典型值为1.0V至2.5V。
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):在25°C时为-1µA,在55°C时为-5µA。
    - 导通电阻 (RDS(on)):在-10V时为0.033Ω,在-4.5V时为0.046Ω。
    - 输入电容 (Ciss):在-15V时为1350pF。
    - 输出电容 (Coss):255pF。
    - 栅极电阻 (Rg):在1MHz时为0.5Ω至4.4Ω。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):在典型操作条件下,该MOSFET的导通电阻非常低,能够有效减少功率损耗。
    2. 高可靠性和稳定性:100%的Rg和UIS测试确保了产品的长期可靠性。
    3. 无卤素材料:符合RoHS标准,绿色环保。
    4. 优异的动态特性:包括快速开关时间和较低的延迟时间,非常适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于电源管理中的开关控制。
    - 笔记本适配器开关:提供高效能的电源转换解决方案。
    使用建议
    - 散热设计:在高功率应用中,建议增加散热措施以降低工作温度,提高器件寿命。
    - 驱动电路:选择合适的驱动电阻以优化开关速度和效率。
    - 布局优化:合理的PCB布局可以减少寄生电感和电容,提高整体性能。

    兼容性和支持


    该产品与常见的PCB封装兼容,适用于大多数基于FR4材料的电路板。制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户进行有效的设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定MOSFET的最大功耗?
    - 解答:根据热阻计算最大功耗。例如,在25°C时,最大功耗为25W。可以通过适当的散热设计来提高该数值。
    2. 问题:如何选择合适的栅极电阻 (Rg)?
    - 解答:选择合适的Rg可以优化开关时间和减少损耗。一般推荐的Rg范围为0.5Ω至4.4Ω,具体选择取决于应用需求。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET (VBsemi J646) 是一款出色的P沟道功率MOSFET,适用于各种高功率应用。其低导通电阻、高可靠性和快速动态特性使其成为电源管理和开关应用的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠的电子工程师和设计师。
    联系方式:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    本文档由VBsemi官方资料整理,仅供参考。如需进一步了解或技术支持,请联系VBsemi客户服务中心。

J646-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 26A
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J646-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J646-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J646-VB J646-VB数据手册

J646-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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