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P12NM50FD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: P12NM50FD-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P12NM50FD-VB

P12NM50FD-VB概述

    P12NM50FD N-Channel 550V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    P12NM50FD 是一款 N-Channel 550V 功率 MOSFET,适用于多种电子应用。它具有低导通电阻、低输入电容、高雪崩耐受能力和快速开关速度等特点,广泛应用于消费电子、服务器及电信电源供应系统、工业控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 VDS | 550 | V |
    | 最大栅源电压 VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 ID | 18(TC=25°C)
    11(TC=100°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 56 | A |
    | 最大耗散功率 PD | 60 | W |
    | 结温范围 TJ, Tstg | -55 至 +150 | °C |
    | 最大结点到外壳热阻 RthJC | - | 0.45 |
    | 导通电阻 RDS(on)(VGS=10V) | - | 0.26 |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):确保高效能和低损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少栅极充电时间,提高开关速度。
    - 高雪崩耐受能力 (UIS):增强了体二极管的可靠性,适合工业应用。
    - 简单栅极驱动电路:降低了成本并简化设计。
    - 高效率:通过低图腾柱因子 (FOM) 和快速开关实现高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子产品:例如 LCD 或等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源:如开关模式电源 (SMPS)。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:支持快速充电需求。
    - 电源因数校正 (PFC)。
    使用建议:
    - 在焊接和感应加热等高功率应用中,应选择合适的工作环境温度以避免过热。
    - 在需要快速开关的应用中,尽量保持较低的寄生电感以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    P12NM50FD MOSFET 可与其他标准电子元件和设备配合使用,适用于多种电路布局。制造商提供了全面的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利使用产品并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中的热管理问题。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,可以采用散热片或风扇来增强散热效果。

    - 问题: 栅极驱动电压过高。
    - 解决方案: 检查并调整栅极驱动电路,确保不超过规定值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,P12NM50FD N-Channel 550V MOSFET 在低损耗、高效能、高可靠性等方面表现优异,适用于广泛的电子应用。强烈推荐用于对性能要求较高的工业和消费电子项目。如果你正在寻找一种高性能、高可靠性的 MOSFET,P12NM50FD 将是一个不错的选择。

P12NM50FD-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 550V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P12NM50FD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P12NM50FD-VB数据手册

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P12NM50FD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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