处理中...

首页  >  产品百科  >  9435J-VB

9435J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),45mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 9435J-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9435J-VB

9435J-VB概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道30V(D-S)MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。它主要用于负载开关和笔记本适配器开关等应用中。该产品采用无卤素材料制造,并通过了100% Rg测试和100% UIS测试,确保了其高可靠性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): -30 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: -20 A
    - TC = 70 °C: -15 A
    - 脉冲漏电流(IDM): -60 A
    - 连续源漏二极管电流(IS): -20 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): -20 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 20 mJ
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25 °C: 20 W
    - TC = 70 °C: 15 W
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55 至 150 °C
    热阻率
    - 最大结至环境热阻(RthJA): 38-46 °C/W
    - 最大结至引脚稳态热阻(RthJF): 20-25 °C/W
    规格
    - 漏源击穿电压(VDS): -30 V (VGS = 0 V, ID = -250 µA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): -1.4 至 -2.5 V
    - 栅源漏电(IGSS): ±100 nA (VDS = 0 V, VGS = ±25 V)
    - 零栅压漏电流(IDSS): -1 µA (VDS = -30 V, VGS = 0 V)
    - 开态漏电流(ID(on)): -20 A (VDS ≥ -10 V, VGS = -10 V)
    - 开态漏源电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -6 A: 0.056 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -4 A: 0.072 Ω

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:环保且更安全。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽结构,提高性能并减小体积。
    - 100% Rg测试:确保每个产品都经过严格的质量检测。
    - 100% UIS测试:进一步确保产品的耐用性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 负载开关:适用于需要高可靠性的场合,如工业控制设备。
    2. 笔记本适配器开关:提供高效能和紧凑设计,适合笔记本电源管理。
    使用建议
    - 在选择工作环境时,确保环境温度不超过150°C,以保证最佳性能。
    - 为了防止过热,建议使用散热器辅助散热。
    - 在高频率应用中,考虑使用外接电容来优化开关性能。

    兼容性和支持


    该产品具有广泛的兼容性,可以轻松集成到多种电路设计中。制造商提供了详细的技术文档和在线支持,确保客户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致性能下降 | 使用散热片或散热器 |
    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加外接电容 |
    | 工作温度超过限制 | 使用温度补偿电路 |

    总结和推荐


    总体而言,这款P沟道30V MOSFET凭借其高性能、高可靠性以及广泛的应用范围,在多个行业中具有很高的价值。强烈推荐用于需要高效能、紧凑设计及高可靠性的应用场合。

9435J-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,60mΩ@4.5V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9435J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9435J-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9435J-VB 9435J-VB数据手册

9435J-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
4000+ ¥ 0.8284
库存: 400000
起订量: 30 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 29.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336