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K12A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K12A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K12A55D-VB

K12A55D-VB概述

    K12A55D-VB 550V N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K12A55D-VB 是一款550V耐压的N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。这款MOSFET在设计上具备多项优化功能,如低面积特定导通电阻(Ron)、低输入电容(Ciss)以及低栅极驱动损耗。这些特性使其成为消费电子、服务器及电信电源供应系统、工业焊接及感应加热设备中的理想选择。

    技术参数


    以下是K12A55D-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 550 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.26 | Ω |
    | 最大总栅极电荷(Qg) | 150 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 3094 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 152 | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 13 | pF |
    | 门极驱动电阻(Rg) | 1.8 | Ω |
    该MOSFET的工作环境温度范围为-55°C至+150°C,最大单脉冲雪崩能量可达281mJ。绝对最大额定值包括最大漏源电压550V、最大连续漏极电流25°C时18A,以及最大脉冲漏极电流56A。

    产品特点和优势


    - 优化设计:具备低面积特定导通电阻和低输入电容,减少开关损耗并提升整体效率。
    - 增强耐用性:高雪崩能级额定值确保在恶劣环境下可靠运行。
    - 简化电路设计:具备较低的门极驱动电阻,使得电路设计更为简单且成本更低。

    应用案例和使用建议


    K12A55D-VB MOSFET在多个领域得到广泛应用,包括:
    - 消费电子产品:如液晶电视和平面电视的显示控制。
    - 电信与服务器电源:用于SMPS电源管理系统。
    - 工业应用:焊接、感应加热以及电机驱动设备。
    - 电池充电器:通过PFC(功率因数校正)实现高效充电。
    - LED照明驱动:高效稳定供电。
    在实际应用中,建议用户根据具体应用场景合理设置工作条件,例如调整门极驱动电阻以达到最佳工作状态。同时注意散热管理,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    K12A55D-VB MOSFET与多种电子设备兼容,包括不同品牌和型号的控制器板。制造商提供详尽的技术支持文档和在线帮助资源,确保客户能够快速上手和有效解决问题。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题:开关频率过高导致发热严重
    - 解决办法:增加散热片或改进散热设计,同时适当降低开关频率。

    - 问题:漏极电流超过最大额定值
    - 解决办法:检查电路设计,确保电流不超过安全范围;必要时采用外部保护措施。

    总结和推荐


    总体而言,K12A55D-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适合广泛的应用场合。它凭借其优化的设计和高效的电气特性,在众多同类产品中脱颖而出。如果您的项目需要高性能、高可靠性的MOSFET,K12A55D-VB是您值得考虑的选择。

K12A55D-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K12A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K12A55D-VB数据手册

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K12A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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