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IRF3710ZSTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263\n可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
供应商型号: IRF3710ZSTRPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3710ZSTRPBF-VB

IRF3710ZSTRPBF-VB概述

    IRF3710ZSTRP MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF3710ZSTR 是一种 N-沟道增强型 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该产品具有高热稳定性(最高结温可达 175°C)并符合 RoHS 指令,适用于多种电源管理和控制应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压:100V(漏源电压 VDS)
    - 最大门源电压:±20V(VGS)
    - 连续漏电流(TJ = 150°C):100A(TJ = 25°C时);75A(TJ = 125°C时)
    - 脉冲漏电流:300A(IDM)
    - 雪崩击穿电流:75A(IAS)
    - 单脉冲雪崩能量:280mJ(EAS)
    - 最大功耗:250W(TO-220AB 和 TO-263 均为25°C时);3.75W(TO-263,25°C时)
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 封装类型:TO-263
    - 绝对最大额定值:包括漏源电压、门源电压、连续漏电流、单脉冲雪崩能量、最大功耗等
    - 典型特性:包括输出特性、跨导、电容特性等

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:最高结温高达 175°C,适合高温环境应用
    - 低通态电阻:在 VGS = 10V 下 RDS(on) = 0.010Ω(在 TJ = 25°C 时),降低功率损耗
    - 快速开关:如总栅极电荷 Qg = 105nC 至 160nC,确保高速操作
    - 高雪崩能力:可承受高达 280mJ 的单脉冲雪崩能量,提高系统鲁棒性
    - 低功耗:功耗低,适用于便携式和紧凑型设计
    - 符合环保标准:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于绿色电子产品

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于电源管理,如 DC-DC 转换器
    - 在电池管理系统中调节电压
    - 高效驱动电机和其他感性负载
    - 使用建议:
    - 散热设计:由于功耗较高,需合理设计散热片,确保长期稳定运行
    - 驱动电路设计:注意栅极驱动信号的质量,避免栅极振荡导致误动作
    - 布局布线:保证良好的接地和电源线走线,减少电磁干扰

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 可与大多数常见的电源管理 IC 和微控制器兼容
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档、设计指南和在线技术支持,帮助用户优化设计方案

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片
    - 问题:MOSFET 开关频率过高导致功耗增加
    - 解决方案:调整驱动电路参数,优化开关频率,减少功耗
    - 问题:栅极电压不稳定
    - 解决方案:确保稳定的电源输入,添加滤波电容稳定电压

    7. 总结和推荐


    - 优点:IRF3710ZSTR 在高可靠性和高性能方面表现出色,尤其适合高温环境下的应用。低通态电阻和快速开关特性使其在电源管理和驱动应用中表现出色。
    - 推荐:综合考虑其技术参数和应用特点,强烈推荐使用 IRF3710ZSTR 在各种高压和高温环境中进行电源管理和驱动控制。建议用户在使用前详细阅读技术手册并遵循最佳实践,以充分发挥其性能优势。
    通过以上分析,我们可以看出 IRF3710ZSTR 是一款优秀的 N-沟道 MOSFET,其独特的技术特点和广泛的应用场景使其成为市场上极具竞争力的产品之一。

IRF3710ZSTRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,23mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3710ZSTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3710ZSTRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3710ZSTRPBF-VB IRF3710ZSTRPBF-VB数据手册

IRF3710ZSTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.8487
100+ ¥ 3.5636
500+ ¥ 3.421
800+ ¥ 3.2785
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型号 价格(含增值税)
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