处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFZ44NSPBF-VB

IRFZ44NSPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: IRFZ44NSPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ44NSPBF-VB

IRFZ44NSPBF-VB概述

    IRFZ44NSPBF-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFZ44NSPBF-VB 是一款来自VBsemi的N沟道60伏特(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的MOSFET采用了TrenchFET®技术,适用于各种工业和消费电子产品。产品广泛应用于电源管理、电机控制和开关电源等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 3 V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | 1 50 | µA |
    | 开态漏电流 | ID(on) | 60 A |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | 0.011 | 0.012 | 0.020 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 4300 pF |
    | 输出电容 | Coss | 470 pF |
    | 转移电容 | Crss | 225 pF |
    此外,该MOSFET具有175°C的结温耐受能力,最大脉冲门源电压为±20V,连续漏极电流可达75A(结温为175°C),瞬态最大脉冲漏极电流为200A。这些参数确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

    产品特点和优势


    IRFZ44NSPBF-VB 的关键优势在于其高结温耐受能力和低开态电阻(RDS(on)),这些特性使其在高功率应用中表现出色。特别是,它能够承受高达175°C的工作温度,使得其非常适合在高温环境中运行。同时,低至0.011Ω的开态电阻也保证了在较高电流下的低功耗和高效率。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于电源转换电路,如开关电源、电机驱动器和逆变器等。例如,在一个典型的开关电源设计中,IRFZ44NSPBF-VB可以作为主控开关管来高效地调节输出电压。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,要注意散热设计,特别是在大电流应用时,以确保结温不会超过最大额定值。
    2. 配合合适的栅极驱动器使用,确保栅极信号的稳定性和快速响应,从而提高系统的整体效率。
    3. 在设计电路时,考虑到可能的过压和过流情况,建议增加相应的保护措施,如过流保护和短路保护。

    兼容性和支持


    IRFZ44NSPBF-VB 支持D2PAK封装,易于在印刷电路板上安装和焊接。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,用户还可以通过官方服务热线400-655-8788获取更多技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:MOSFET在高温环境下运行时如何保证其性能?
    - 答:确保良好的散热设计,例如使用散热片或散热风扇,保持器件在安全温度范围内工作。

    2. 问:如何避免栅极信号不稳定导致的问题?
    - 答:使用高质量的栅极驱动器,并正确连接去耦电容以减少噪声干扰。确保栅极和源极之间有足够的隔离。
    3. 问:过载情况下如何保护MOSFET?
    - 答:在电路设计中加入过流保护机制,如熔断器或保险丝,并使用合适的栅极电阻限制峰值电流。

    总结和推荐


    综上所述,IRFZ44NSPBF-VB 是一款性能优异且可靠的N沟道MOSFET,尤其适合需要高耐温性和高效能的应用场合。其出色的热稳定性和低电阻特性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。我们强烈推荐在相关项目中使用这款MOSFET,以获得最佳的性能和可靠性。

IRFZ44NSPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ44NSPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ44NSPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ44NSPBF-VB IRFZ44NSPBF-VB数据手册

IRFZ44NSPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1487
100+ ¥ 2.9155
500+ ¥ 2.7989
800+ ¥ 2.6823
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.48
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504