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IRFR3412PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3412PBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3412PBF-VB

IRFR3412PBF-VB概述

    IRFR3412PBF N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFR3412PBF 是一款N沟道100V(漏-源)TrenchFET® 功率MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它适用于主侧开关和隔离式DC/DC转换器等应用。该器件通过100%的栅极电阻(Rg)和雪崩测试(UIS),确保了其可靠性和耐用性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - \( TJ = 150 ^\circ C \)
    - \( TC = 25 ^\circ C \): 9.2 A
    - \( TA = 100 ^\circ C \): 6.8 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 101 mJ
    - 最大功耗 \( PD \):
    - \( TC = 25 ^\circ C \): 136.4 W
    - \( TA = 100 ^\circ C \): 68.2 W
    - 电气特性
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5 V 至 5 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 V \), \( ID = 15 A \): 0.0185 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2400 pF ( \( V{DS} = 50 V \), \( V{GS} = 0 V \) )
    - 输出电容 \( C{oss} \): 230 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 80 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 38 nC ( \( V{DS} = 50 V \), \( V{GS} = 10 V \), \( ID = 50 A \) )

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试保证了其稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \)为0.0185 Ω,确保了高效的能量传输。
    - 快速响应:具有较低的栅极电荷(\( Qg \))和栅极-漏极电荷(\( Q{gd} \)),提高了开关速度。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C到175°C范围内工作,适用于恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 隔离式DC/DC转换器:IRFR3412PBF适合用于隔离式DC/DC转换器,由于其低导通电阻和高效率,可以有效降低功率损耗。
    - 主侧开关:在电源管理模块中作为主侧开关使用,以实现高效能的电源转换。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,应注意其阻值对开关速度的影响,合理配置以获得最佳性能。
    - 使用时要确保散热良好,避免过热导致损坏。对于大功率应用,应考虑增加散热片或散热器。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR3412PBF与各种标准电路板兼容,表面安装于1" x 1" FR4基板上。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供技术支持和售后服务,用户可以通过客服热线400-655-8788获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后导通电阻增大。
    - 解决办法:检查是否因过热导致,必要时添加散热装置,保持工作温度在安全范围内。
    - 问题:栅极电荷过高导致发热严重。
    - 解决办法:调整栅极电阻,优化驱动电路,减少栅极电荷量。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRFR3412PBF N-Channel 100-V MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻、快速响应等特点,适用于多种电力电子应用。其广泛的温度适应能力和高效能使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐使用IRFR3412PBF,特别是在需要高可靠性和高性能的应用场景中。通过优化使用条件和正确的散热措施,可以充分发挥其潜力。

IRFR3412PBF-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3412PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3412PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3412PBF-VB IRFR3412PBF-VB数据手册

IRFR3412PBF-VB封装设计

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