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2SK2499-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220 一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: 2SK2499-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2499-VB

2SK2499-VB概述

    2SK2499-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2499-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60 伏(漏-源电压)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用 TO-220AB 封装,适用于需要高可靠性、高温度耐受性的电路设计中。主要应用于电源管理、驱动器、逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): \(\pm 20\) V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TJ = 175^\circ \text{C} \)): 60 A(\( TA = 25^\circ \text{C} \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 漏极-源极击穿电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 最大功率耗散 \( PD \): 136 W(\( TA = 25^\circ \text{C} \))
    - 热阻 \( R{thJA} \):稳态 50°C/W,短时 18°C/W
    - 热阻 \( R{thJC} \): 1.1°C/W
    - 静态特性
    - 栅极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1~3 V
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA
    - 漏极-源极导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 20 \text{A}, TJ = 125^\circ \text{C} \): 0.011Ω
    - \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 20 \text{A}, TJ = 175^\circ \text{C} \): 0.018Ω
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 420 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 570 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 325 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 7 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高温度耐受性:能够在高达 175°C 的结温下正常工作。
    - 高性能:具备低导通电阻 \( R{DS(on)} \),能够在高温度环境下保持较低的功耗。
    - 快速开关能力:具有低输入电容 \( C{iss} \) 和输出电容 \( C{oss} \),有助于实现更快的开关速度。
    - 高可靠性和耐用性:绝对最大额定值提供额外的安全裕度,确保长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源管理、电机控制、逆变器等应用中。
    - 使用建议:
    - 确保栅极-源极电压 \( V{GS} \) 在 \(\pm 20\) V 内,以避免损坏。
    - 使用散热片或其他冷却措施以确保器件在高温条件下不会过热。
    - 在高频率开关应用中,考虑总栅极电荷 \( Qg \) 以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与大多数标准 TO-220AB 封装的驱动器和控制器兼容。
    - 支持:VBsemi 提供技术支持热线 400-655-8788,以便客户解决任何安装或使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定器件的最大漏极电流?
    - 解决方法:参考产品规格中的绝对最大额定值部分,查找最大漏极电流 \( ID \) 或 \( I{DM} \)。
    - 问题2:如何测量器件的漏极-源极导通电阻 \( R{DS(on)} \)?
    - 解决方法:在指定的工作条件下(如 \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 20 \text{A} \)),使用万用表测量漏极-源极电压降并计算 \( R{DS(on)} \)。

    7. 总结和推荐


    - 综合评估:2SK2499-VB N-Channel 60-V MOSFET 具备高可靠性、低导通电阻和高温度耐受性等特点,非常适合于各种工业和电力电子应用中。
    - 推荐:强烈推荐使用此产品用于需要高性能和高可靠性的电路设计中,特别是在高温度环境下的应用场合。
    通过以上详细介绍,我们相信 2SK2499-VB MOSFET 将成为您设计项目中的理想选择。

2SK2499-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2499-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2499-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2499-VB 2SK2499-VB数据手册

2SK2499-VB封装设计

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