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QM2416J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: QM2416J-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM2416J-VB

QM2416J-VB概述


    产品简介


    QM2416J N-Channel MOSFET
    QM2416J 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术。这款 MOSFET 主要应用于便携式设备的负载开关,适用于各种需要高效、低损耗电源管理的应用场景。其主要功能包括:
    - 高效负载开关控制
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 广泛的工作温度范围

    技术参数


    QM2416J 的技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 0.6 | 1.5 V |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 10 | µA |
    | 漏极连续电流 | ID | 6.8 6.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 30 A |
    | 最大功率耗散 | PD | 6.3 2.5 | W |
    | 热阻(结至环境) | RthJA | 40 | 50 °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg| -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    QM2416J MOSFET 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低导通电阻:在 VGS=4.5V 和 ID=6.3A 条件下,RDS(on) 可低至 0.022Ω,确保高效的电能转换。
    - 高耐压:VDS 额定值为 30V,适用于多种高电压应用。
    - 快速开关:其低栅极电荷(Qg)特性使其具备快速开关能力,适合高频应用。
    - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定工作。
    - 环保材料:符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    QM2416J 主要用于便携式设备的负载开关,如智能手机和平板电脑中的电池保护电路。使用建议如下:
    - 在设计电路时,注意合理分配栅极驱动电压以达到最佳的导通状态。
    - 对于高功率应用,建议添加散热片以降低器件温升,延长使用寿命。
    - 当应用于高压环境中时,注意器件的热管理和过流保护设计。

    兼容性和支持


    QM2416J 与大多数常用的 PCB 尺寸和焊接工艺兼容。制造商提供了详细的焊接指南和可靠性手册,帮助用户更好地进行安装和测试。此外,还提供相关的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些问题及解决方法:
    - 问题:在高电流环境下出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热方式,以减小器件温升。
    - 问题:发现漏电流异常。
    - 解决方案:检查电路是否存在短路或接触不良情况,确保正确连接并进行适当的电压测量。
    - 问题:在焊接过程中损坏。
    - 解决方案:避免手动焊接,建议使用回流焊机进行焊接,确保焊接质量。

    总结和推荐


    综上所述,QM2416J N-Channel MOSFET 具备优秀的性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性使其成为便携式设备负载开关的理想选择。如果您正在寻找一款高效、可靠的 MOSFET,QM2416J 是一个值得推荐的产品。

QM2416J-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,45mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

QM2416J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM2416J-VB数据手册

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QM2416J-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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