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K2843_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K2843_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2843_06-VB

K2843_06-VB概述

    K284306-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K284306-VB 是一款N沟道功率MOSFET,具有高耐压(650V)特性。这款MOSFET 主要应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)及工业设备中。它特别适用于需要高效能、低损耗的应用场景。

    技术参数


    - 耐压能力:VDS(最大)为650V
    - 导通电阻:在25°C时,VGS = 10V,RDS(on) < 0.35Ω
    - 输入电容:Ciss < 60 pF
    - 输出电容:Coss < 60 pF
    - 总栅极电荷:Qg < 43 nC
    - 峰值电流:IDM = 45A
    - 连续漏极电流:在100°C时,ID = 9.4A
    - 热阻抗:RthJA = 60°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 开关特性:td(on) < 25ns,tr < 35ns,tf < 40ns

    产品特点和优势


    K284306-VB 采用了先进的设计工艺,具备以下显著优势:
    - 低导通电阻:具有很低的导通电阻(RDS(on)),使得在通态下能有效降低能量损失。
    - 低栅极电荷:栅极电荷(Qg)非常低,有助于提高开关速度和减少开关损耗。
    - 低输入电容:输入电容(Ciss)小,降低了驱动电路的复杂度。
    - 增强的耐雪崩能力:UIS评级保证了高能效下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:K284306-VB 非常适合用于需要高效能电源转换的场合,例如服务器和电信电源供应,能显著提升效率并降低能耗。
    - 照明系统:其适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯照明,能够实现高效能、长寿命的电源管理。
    - 工业设备:在各种工业控制和自动化设备中使用时,可以提高系统的可靠性和能效。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热设计,以确保在高温环境下也能保持良好的性能。
    - 针对高频应用,应该尽量减小引线电感,避免信号完整性问题。

    兼容性和支持


    K284306-VB 与主流的栅极驱动器兼容,并且提供了详细的技术文档和客户支持。用户可以通过厂商的服务热线400-655-8788获取进一步的技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保足够的栅极驱动电压和较低的栅极电阻。
    - 问题:高温条件下性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。

    总结和推荐


    K284306-VB N-Channel 650V Power MOSFET 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET,非常适合于多种应用场景。它的低栅极电荷和导通电阻设计使其在高效率应用中表现出色,且具备出色的耐温性能。总体而言,这款产品是一款值得推荐的优质电子元器件,特别是在要求高效率、低损耗的系统中。
    推荐指数:★★★★★

K2843_06-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2843_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2843_06-VB数据手册

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K2843_06-VB封装设计

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